Пристрій для багатофункціонального використання smd-компонентів

Реферат: Пристрій для багатофункціонального використання SMD-компонентів містить фотопровідну підкладку, електронний інтерфейс, електричні міжз'єднання. Він додатково містить мікроконтролер-синхронізатор, підключений через шину керування до світлодіодної матриці, та металізовані контакти, які знаходяться в електричному контакті з фотопровідною підкладкою. UA 104297 U (54) ПРИСТРІЙ ДЛЯ БАГАТОФУНКЦІОНАЛЬНОГО ВИКОРИСТАННЯ SMD-КОМПОНЕНТІВ UA 104297 U UA 104297 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до області комутації електронних компонентів, зокрема до пристроїв з оптоелектронним керуванням електропровідністю у напівпровідникових матеріалах. Відомий пристрій з підвищеною щільністю міжз'єднань електронних компонентів у мікросхемах, який містить лазер, фокусуючу лінзу, оптоелектронний модулятор, дзеркало, металізовані контакти на поверхні кристалу CdS з комутуючою ділянкою виконаною на основі динамічних неоднорідностей. [1] Недоліком відомого пристрою є великі геометричні розміри, низька швидкодія та велика енергозатратність для передачі сигналу. Найбільш близькою до заявленої корисної моделі є компоновка фотоелектричного композитного міжз'єднання та електронний пристрій на його основі, що містить фотопровідну підкладку, електронний інтерфейс та електричні контакти на обох кінцях електричного міжз'єднання, частина якого замінена оптичною передаючою лінією. Даний прилад забезпечує з'єднання завдяки фотоелектричним гнучким провідникам. Сигнали передаються каналом передачі сформованого з гнучкої підкладки, секції електрооптичного та оптоелектричного перетворення з'єднаних світловодами. Компоновка фотоелектричного композитного міжз'єднання також забезпечена мультиплексором та демультиплексором для передачі інформації. [2] Недоліком прототипу є те, що відомий пристрій не забезпечує створення нестаціонарних міжз'єднань, крім того має значні геометричні розміри. Недоліком є також те, що комутуючі елементи не можуть бути змінені без додаткового втручання, що створює додаткові незручності при роботі з корпусованими інтегральними мікросхемами. В основу корисної моделі поставлена задача багатофунціонального використання SMDкомпонентів (анг. surface mounted device-компонент, що монтується на поверхню) шляхом створення універсального пристрою з динамічними неоднорідностями у фотопровідному матеріалі. Поставлена задача вирішується тим, що пристрій для багатофункціонального використання SMD-компонентів містить підкладку, електронний інтерфейс, електричні міжз'єднання. Новим є те, що додатково містить мікроконтролер-синхронізатор, підключений через шину керування до світлодіодної матриці, та металізовані контакти для електричного з'єднання SMD-компонентів мікросхеми з фотопровідною підкладкою, а також містить анодний контактний шар світлодіодної матриці. Сутність корисної моделі пояснюється кресленнями, де: на фіг. 1 зображено поперечний розріз багатошарової структури пристрою; на фіг. 2 аксонометричне зображення пристрою для багатофункціонального використання SMD-компонентів. Пристрій для багатофункціонального використання SMD-компонентів містить фотопровідну підкладку 1, на поверхні якої розміщені металізовані контакти 2, які знаходяться в електричному контакті з підкладкою 1. Під фотопровідною підкладкою 1 розташована світлодіодна матриця 3 з планарних світлодіодів 4. Світлодіодна матриця 3 з планарних світлодіодів 4 формується на аноді світлодіодів 5. До р-n-переходу 6 підводяться катоди 7 планарних світлодіодів 5, які підключені до шини керування 8. Кожен планарний світлодіод 4 створює конус світлового випромінювання з кутом 9. Керування планарними світлодіодами 3 відбувається мікроконтролером-синхронізатором 10. Мікроконтролер-синхронізатор 10 підключений до світлодіодної матриці 3 через шину керування 8. Пристрій працює наступним чином. У мікроконтролері-синхронізаторі 10 закладені алгоритми, згідно яким шина керування 8 світлодіодною матрицею 3 передає керуючі сигнали з мікроконтролера-синхронізатора 10, які подають напругу на катоди 7 планарних світлодіодів 4, які в свою чергу опромінюють фотопровідну підкладку 1 в необхідних координатах для створення підвищеної концентрації фотоелектронів, подібної до концентрації електронів у металі. Завдяки внутрішньому фотоефекту опроміненні області з діелектричних перетворюються на струмопровідні канали по яким електричні сигнали комутуються між металізованими контактами 2, на яких розміщені SMD-компоненти. Зміна кількості планарних світлодіодів 4, які опромінюють фотопровідну підкладку 1, дає можливість регулювати форму струмопровідного каналу, а також його електропровідність. При необхідності можливе закладання у мікроконтролер-синхронізатор декількох алгоритмів опромінення, що дає можливість використовувати одні й ті ж SMD-компоненти для формування підвищеного рівня внутрішніх зв'язків. Крім того, вибір алгоритму можна проводити в залежності від вхідних сигналів або використовуючи окрему шину керування. 1 UA 104297 U 5 Технічний результат полягає в універсальному багатофункціональному використанню одного пристрою з визначеним набором SMD-компонентів для створення пристроїв різного призначення. Джерела інформації: 1. Циганок Б. А. Підвищення ступеня внутрішніх зв'язків у твердотільних електронних системах з використанням динамічних неоднорідностей // Наукові вісті НТУУ "КПІ. - 1997. - с 3436. 2. Патент США № 7333682, "Photoelectric composite interconnection assembly and electronics device using same" МПК G02B 6/12, опублікований 19.02.2008. 10 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 15 1. Пристрій для багатофункціонального використання SMD-компонентів, що містить фотопровідну підкладку, електронний інтерфейс, електричні міжз'єднання, який відрізняється тим, що додатково містить мікроконтролер-синхронізатор, підключений через шину керування до світлодіодної матриці, та металізовані контакти, які знаходяться в електричному контакті з фотопровідною підкладкою. 2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що додатково містить анодний контактний шар та світлодіодна матриця розміщена під фотопровідною підкладкою. Комп’ютерна верстка Л. Бурлак Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2