Буферний елемент

Буферний елемент, що містить перше та друге джерела струмів, два польові транзистори ртипу та два польові транзистори n-типу, шини додатного та від'ємного потенціалу, який відрізняється тим, що у нього введено шістнадцять транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з затворами першого р-типу та другого n-типу польових транзисторів, а витоки першого р-типу та другого n-типу польових транзисторів з'єднано з емітерами четвертого р-n-р та третього n-р-n біполярних транзисторів відповідно, а їх стоки з'єднано з базами третього n-р-n та четвертого р-n-р транзисторів відповідно, бази третього n-р-n та четвертого р-n-р транзисторів з'єднано з емітерами першого n-р-n та другого р-n-р транзисторів відповідно, колектори третього n-р-n та четвертого р-n-р транзисторів з'єднано з шинами додатного та від'ємного потенціалу відповідно, бази та колектори першого n-р-n та другого р-n-р транзисторів з'єднано відповідно через перше та друге джерело струму з шинами додатного та від'ємного потенціалу відповідно, бази третього n-р-n та четвертого р-n-р транзисторів з'єднано з базами дев'ятого n-р U 2 (11) 1 3 16968 4 Базу першого біполярного n-р-n транзистора з'єдтощо. нано з його колектором. Базу другого біполярного Поставлена задача досягається тим, що в бур-n-р транзистора з'єднано з його колектором. Еміферний елемент, який містить перше та друге тери першого n-р-n та р-n-р другого біполярних джерела струмів, чотири польові транзистори, транзисторів з'єднано з базами третього n-р-n та шину додатного та від'ємного потенціалу, введено четвертого р-n-р біполярних транзисторів відповішістнадцять транзисторів, причому, вхідну шину дно. Колектори першого n-р-n та другого р-n-р біз'єднано з затворами першого р-типу та другого nполярних транзисторів з'єднано з шинами додаттипу польових транзисторів, витоки першого рного та від'ємного потенціалу відповідно через типу та другого n-типу польових транзисторів з'єдперше та друге джерела струмів відповідно. Емінано з емітерами четвертого р-n-р та третього n-ртери першого n-р-n та другого р-n-р біполярних n транзисторів відповідно, а їх стоки з'єднано з транзисторів з'єднано з емітерами шостого р-n-р базами третього n-р-n та четвертого р-n-р транзита п'ятого n-р-n біполярних транзисторів відповідсторів відповідно, бази третього n-р-n та четвертоно. Колектори першого n-р-n та другого р-n-р біпого р-n-р транзисторів з'єднано з емітерами першолярних транзисторів з'єднано з базами сьомого nго n-р-n та другого р-n-р транзисторів відповідно, р-n та восьмого р-n-р біполярних транзисторів відколектори третього n-р-n та четвертого р-n-р транповідно. Бази n-р-n п'ятого та шостого р-n-р біпозисторів з'єднано з шинами додатного та від'ємнолярних транзисторів з'єднано з вхідною шиною. го потенціалу відповідно. Бази та колектори перКолектори п'ятого n-р-n та шостого р-n-р біполяршого n-р-n та другого р-n-р транзисторів з'єднано них транзисторів з'єднано з емітерами сьомого nвідповідно через перше та друге джерело струму з р-n та восьмого р-n-р біполярних транзисторів відшинами додатного та від'ємного потенціалу відпоповідно. Колектори сьомого n-р-n та восьмого р-nвідно, бази третього n-р-n та четвертого р-n-р трар біполярних транзисторів з'єднано з шинами донзисторів з'єднано з базами дев'ятого n-р-n та дедатного та від'ємного потенціалу відповідно. Колесятого р-n-р транзисторів відповідно, колектори ктори третього n-р-n та четвертого р-n-р біполярдев'ятого n-р-n та десятого р-n-р транзисторів них транзисторів з'єднано з емітерами сьомого nз'єднано з колекторами дванадцятого р-n-р та р-n та восьмого p-n-p біполярних транзисторів відодинадцятого n-р-n транзисторів відповідно, еміповідно. Емітери третього n-р-n та четвертого p-nтери дев'ятого n-р-n та десятого р-n-р транзисторів p біполярних транзисторів з'єднано з вихідною з'єднано з витоками третього n-типу та четвертого шиною. р-типу польових транзисторів емітери одинадцятоНедоліками пристрою є низький вхідний опір го р-n-р та дванадцятого n-р-n транзисторів з'єдта низька навантажувальна здатність. нано з шинами від'ємного та додатного потенціалу За прототип обрано буферний елемент [Захавідповідно, а їх бази з'єднано з базами і колекторченко С.М., Азаров О.Д., Харьков О.М. Самокалірами сьомого р-n-р та восьмого n-р-n транзисторів бровані АЦП із накопиченням заряду на основі відповідно. Емітери сьомого р-n-р і восьмого n-р-n надлишкових позиційних систем числення. Моногтранзисторів з'єднано з шинами від'ємного та дорафія / Під. заг. ред. О.Д.Азарова. - Вінниця: УНТдатного потенціалу відповідно, колектори сьомого ВЕРСУМ - Вінниця, 2005. - 235с. Рис.5.29 на сторір-n-р і восьмого n-р-n транзисторів з'єднано з конці 202.], який містить перший польовий лекторами п'ятого n-р-n і шостого р-n-р транзистотранзистор з вмонтованим каналом та другий рів відповідно, колектори п'ятого n-р-n і шостого рпольовий транзистор з вмонтованим каналом (далі n-р транзисторів з'єднано з базами і колекторами польові транзистори), відповідно р-типу та п-типу. тринадцятого n-р-n та чотирнадцятого р-n-р транЗатвори першого р-типу та другого n-типу польозисторів відповідно, стоки і затвори третього nвих транзисторів з'єднано з вхідною шиною. Стоки типу і четвертого р-типу польових транзисторів першого та другого біполярних транзисторів (далі з'єднано з вихідною шиною, емітери тринадцятого транзистори), відповідно n-р-n та p-n-p, з'єднано n-р-n та чотирнадцятого р-n-р транзисторів з'єднашинами від'ємного та додатного потенціалу відпоно з вихідною шиною, а їх колектори з'єднано з відно. Витоки першого n-р-n та другого p-n-p транколекторами шістнадцятого р-n-р та п'ятнадцятого зисторів з'єднано з витоками третього р-типу та n-р-n транзисторів відповідно, бази п'ятнадцятого четвертого n-типу польових транзисторів. Витоки р-n-р та шістнадцятого n-р-n транзисторів з'єднано третього р-типу та четвертого n-типу польових з колекторами одинадцятого р-n-р та дванадцятотранзисторів з'єднано через перше та друге джего n-р-n транзисторів відповідно, а їх емітери з'єдрела струмів відповідно з шинами додатного та нано з шинами від'ємного та додатного потенціалу від'ємного потенціалу відповідно, а їх стоки з'єднавідповідно. но між собою та з вихідною шиною, а їх затвори На кресленні представлено принципову схему з'єднано з вихідною шиною. буферного елементу. Основним недоліком прототипу є низька наваВхідну шину 1 з'єднано з затворами першого нтажувальна здатність. р-типу 5 та другого n-типу 6 польових транзистоВ основу корисної моделі поставлено задачу рів. Витоки першого р-типу 5 та другого n-типу 6 створення буферного елементу, в якому за рахупольових транзисторів з'єднано з емітерами четнок введення нових елементів та зв'язків між ними вертого р-n-р 14 та третього n-р-n 13 біполярних підвищується навантажувальна здатність, з'являтранзисторів відповідно, а їх стоки з'єднано з бається можливість поширення галузі використання зами третього n-р-n 13 та четвертого р-n-р 14 траприладу, що приводить до економії шляхом виконзисторів відповідно. Бази третього n-р-n 13 та ристання приладу в різноманітних пристроях імпучетвертого р-n-р 14 транзисторів з'єднано з емітельсної та обчислювальної техніки, автоматики рами першого n-р-n 11 та другого р-n-р 12 транзи 5 16968 6 сторів відповідно. Колектори третього n-р-n 13 та транзисторів 19 і 20, n-р-n та р-n-р відповідно, збічетвертого р-n-р 14 транзисторів з'єднано з шинальшуються, а також збільшуються і потенціали ми додатного 3 та від'ємного 4 потенціалу відповістоків транзисторів 7 і 8, р-типу та n-типу відповіддно. Бази та колектори першого n-р-n 11 та другоно. При цьому потенціал вихідної шини 2 збільшуго р-n-р 12 транзисторів з'єднано відповідно через ється. Якщо напруга на вихідній шині 2 збільшуперше 9 та друге 10 джерело струму з шинами ється, то струм з вихідної шини 2 починає витікати. додатного 3 та від'ємного 4 потенціалу відповідно. Транзистор n-p-n 19 привідкривається, а транзисБази третього n-р-n 13 та четвертого р-n-р 14 тратор р-n-р 20 призакривається. При Різницевий конзисторів з'єднано з базами дев'ятого n-р-n 19 та лекторний струм, що виникає, на колекторах трандесятого р-n-р 20 транзисторів відповідно. Колекзисторів 22 і 19, р-n-р та n-p-n відповідно, тори дев'ятого n-р-n 19 та десятого р-n-р 20 транпривідкриває транзистор р-n-р 26, а різницевий зисторів з'єднано з колекторами дванадцятого р-nколекторний струм, що виникає, на колекторах р 22 та одинадцятого n-р-n 21 транзисторів відпотранзисторів 20 і 21, р-n-р та n-p-n відповідно, привідно. Емітери дев'ятого n-р-n 19 та десятого р-n-р закриває транзистор n-p-n 25. Колекторний струм 20 транзисторів з'єднано з витоками третього ртранзистора р-n-р 26 збільшується, а транзистора типу 7 та четвертого n-типу 8 польових транзистоn-р-n 25 зменшується. Таким чином транзистори рів відповідно. Емітери одинадцятого n-р-n 21 та 25 і 26, n-p-n та р-n-р відповідно, формують різнидванадцятого р-n-р 22 транзисторів з'єднано з шицевий вихідний струм, який витікає в вихідну шинами від'ємного 4 та додатного 3 потенціалу відну 2. повідно, а їх бази з'єднано з базами і колекторами Якщо напруга на вхідній шині 1 зменшується, сьомого n-р-n 18 та восьмого р-n-р 17 транзисторів то потенціали витоків польових транзисторів 5 і 6, відповідно. Емітери сьомого n-р-n 18 і восьмого рр-типу та n-типу відповідно, зменшуються. Потенn-р 17 транзисторів з'єднано з шинами від'ємного 4 ціали колектор-база транзисторів 11 і 12, n-p-n та та додатного 3 потенціалу відповідно. Колектори р-n-р відповідно, також зменшуються. Потенціали сьомого n-р-n 18 і восьмого р-n-р 17 транзисторів емітерів транзисторів 19 і 20, n-p-n та р-n-р відпоз'єднано з колекторами шостого р-n-р 16 і п'ятого відно, зменшуються. Відповідно зменшуються і n-р-n 15 транзисторів відповідно. Емітери п'ятого потенціали стоків транзисторів 7 і 8, р-типу та nn-р-n 15 і шостого р-n-р 16 з'єднано. Бази п'ятого типу відповідно. При цьому потенціал вихідної n-р-n 15 та шостого р-n-р 16 транзисторів відповідшини 2 зменшуються. Якщо напруга на вихідній но, з'єднано з базами і колекторами тринадцятого шині 2 зменшується, то струм з вихідної шини 2 n-р-n 23 та чотирнадцятого р-n-р 24 транзисторів починає втікати, транзистор n-p-n 19 призакривавідповідно. Стоки і затвори третього р-типу 7 і четється, а транзистор р-n-р 20 привідкривається. вертого n-типу 8 польових транзисторів з'єднано з При цьому різницевий колекторний струм, що вивихідною шиною 2. Емітери тринадцятого n-р-n 23 никає, на колекторах транзисторів 22 і 19, р-n-р та та чотирнадцятого р-n-р 24 транзисторів з'єднано з n-p-n відповідно, призакриває транзистор р-n-р 26, вихідною шиною 2, а їх колектори з'єднано з колеа різницевий колекторний струм, що виникає, на кторами шістнадцятого р-n-р 26 та п'ятнадцятого колекторах транзисторів 20 і 21, р-n-р та n-p-n відn-р-n транзисторів 25 відповідно. Бази п'ятнадцяповідно, привідкриває транзистор n-p-n 25. Колектого n-р-n 25 та шістнадцятого р-n-р 26 транзистоторний струм транзистора р-n-р 26 зменшується, а рів з'єднано з колекторами одинадцятого n-р-n 21 транзистора n-p-n 25 збільшується. Таким чином та дванадцятого р-n-р 22 транзисторів відповідно, транзистори 25 і 26, n-p-n та р-n-р відповідно, фоа їх емітери з'єднано з шинами від'ємного 4 та дормують різницевий вихідний струм, який втікає з датного 3 потенціалу відповідно. вихідну шину 2. Пристрій працює таким чином. Транзистори 13 і 14, n-p-n та р-n-р відповідно, На шину додатного потенціалу 3 подається у каскадному вмиканні стабілізують напругу стікдодатна напруга живлення, на шину від'ємного витік польових транзисторів 5 і 6, р-типу та n-типу потенціалу 4 подається від'ємна напруга живленвідповідно. Транзистори 23 і 24, n-p-n та р-n-р відня. Джерела струмів 9 і 10 забезпечують необхідповідно, у діодному вмиканні, а також транзистори ний режим роботи схеми по постійному струму. 15 і 16, n-p-n та р-n-р відповідно, далі відбивачі Якщо напруга на вхідній шині 1 збільшується, струму відповідно на транзисторах р-n-р 17 і 22 і то потенціали витоків польових транзисторів 5 і 6, відповідно на транзисторах n-р-n 18 і 21 забезпер-типу та n-типу відповідно, збільшуються. Потенчують необхідний режим роботи по постійному ціали колектор-база транзисторів 11 і 12, n-р-n та струму транзисторів 25 і 26 n-p-n та р-n-р відпор-n-р також збільшуються, потенціали емітерів відно. 7 Комп’ютерна верстка Н. Лисенко 16968 8 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601