Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію.

Текст

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію. (19) (21) u200811043 (22) 10.09.2008 (24) 25.03.2009 (46) 25.03.2009, Бюл.№ 6, 2009 р. (72) СИЗОВ ФЕДІР ФЕДОРОВИЧ, UA, САВКІНА РАДА КОСТЯНТИНІВНА, UA, СМІРНОВ ОЛЕКСІЙ БОРИСОВИЧ, UA (73) ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМ. В.Є. ЛАШКАРЬОВА НАН УКРАЇНИ, UA 3 40000 4 щення та мав би малий час відгуку. Для вирішення поставленої задачі запропоновано неохолоджуваний фотовольтаічний ФПП, який складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з матеріалу CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї та відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію. Принцип дії запропонованого пристрою базується на тому, що при поглинанні в епітаксійній плівці CdxHg1-хTe ІЧ випромінювання з довжиною хвилі, що відповідає енергії, більшій за ширину забороненої зони (спектральний діапазон обумовлений складом твердого розчину), наступна релаксація фотозбудження призводить до теплового розширення (e th ) та дилатації кристалічної ґратки, спричиненої надлишком електронів в зоні провідності (eel ) . При цьому на границі між плівкою та підкладинкою напівпровідникової структури виникає механічна деформація, обумовлена різницею деформаційних потенціалів та лінійних коефіцієнтів розширення матеріалів підкладинки та плівки. Оскільки CdxHg1-хTe має п'єзоелектричні властивості, то наслідком деформації буде генерація електричного сигналу, тобто появи ЕРС в епітаксійній плівці внаслідок просторового розділення фотозбуджених носіїв заряду п'єзоелектричним полем. Як видно з даних, наведених в Таблиці 1, зазначені параметри для CdxHg1-хTe та Si відрізняються в декілька разів, тоді як для CdxHg1-хTe та GaAs вони близькі за значенням. Отже, деформація на границі між плівкою та підкладинкою структури Si/CdxHg1-хTe набагато більша у порівнянні зі структурою GaAs/CdxHg1-хTe. На Фіг.1 схематично зображено запропонований ФПП: 1 - напівпровідникова підкладинка (Si), 2 - епітаксійна плівка (CdxHg1-хTe), 3 - електричні контакти. На структуру падає випромінювання широкого спектрального діапазону, тому умова власного поглинання виконується як для підкладинки (0), а гратка Si стиска ється ( ¶eg / ¶p

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Noncooled photo-voltaic photo-receiving arrangement of infrared radiation

Автори англійською

Syzov Fedir Fedorovych, Savkina Rada Kostiantynivna, Smirnov Oleksii Borysovych

Назва патенту російською

Неохлажденное фотовольтаическое устройство с инфракрасным излучением

Автори російською

Сизов Федор Федорович, Савкина Рада Константиновна, Смирнов Алексей Борисович

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/00, G01J 5/00

Мітки: фотоприймальний, пристрій, фотовольтаїчний, неохолоджуваний, випромінювання, інфрачервоного

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-40000-neokholodzhuvanijj-fotovoltachnijj-fotoprijjmalnijj-pristrijj-infrachervonogo-viprominyuvannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання</a>

Подібні патенти