Смірнов Олексій Борисович

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Сизов Федір Федорович, Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна

МПК: C23C 14/48, B82B 3/00, H01L 21/20 ...

Мітки: плівки, p-cdhgte, отримання, наноструктур, спосіб, поверхні, гетероепітаксійної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Ганус Валерій Олександрович, Клюй Микола Іванович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 31/0296, G02B 5/22

Мітки: просвітлення, спосіб, іч-випромінювання, основі, фотоприймача, cdhgte

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович

МПК: B28B 1/00, B28B 23/00

Мітки: гетероепітаксійної, спосіб, отримання, наноструктур, поверхні, p-cdхнg1-хte, плівки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Номер патенту: 40000

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: G01J 5/00, H01L 31/00

Мітки: неохолоджуваний, випромінювання, інфрачервоного, пристрій, фотовольтаїчний, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію.

Номер патенту: 31098

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Ющук Степан Іванович, Савкіна Рада Константинівна, Юр'єв Сергій Олексійович

МПК: G01N 29/04

Мітки: виявлення, напівпровідникових, дефектних, кристалів, частин, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.