Багатошарові об’ємні оптичні покриття

Багатошарові об'ємні оптичні покриття, які виготовлені на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і містять сірку або селен, які від 3 46296 4 Відомі об'ємні оптичні покриття [4] для випропровідникових приладів та активних елементів мінюючих напівпровідникових приладів, що праінтегральної оптики. цюють у видимій та близькій ІЧ області спектра з Поставлена задача досягається тим, що згідно використанням шару покриття на основі люмінокорисної моделі, багатошарові об'ємні оптичні пофора, активованого рідкісноземельними елеменкриття, які виготовлено на основі халькогенідних тами та полімера певної об'ємної форми. Такі опсклоподібних напівпровідників і містять сірку або тичні покриття розширюють область використання селен, не менше двох об'ємних шарів покриття випромінюючих напівпровідникових приладів, завиготовлені з різних за хімічним складом матеріабезпечують покращення їх світлотехнічних паралів багатокомпонентних систем Ge(Pb)-Ga(Sb,Bi)метрів у видимій та близькій ІЧ-області спектра, S(Se), матеріал хоча б одного із шарів покриття дозволяють керувати світловими потоками, виколегований хоча б одним рідкісноземельним еленують механічний захист, а матеріали покриття ментом (Cs, Pr, Tb, Dy, Sm, Eu, Er, Nd, La), кожен технологічні у виготовленні та відповідають вимонаступний шар виконаний із матеріалу, який має гам, які ставляться до оптичного покриття напівменшу температуру розм’якшення і показник запровідникових приладів. ломлення якого менший за показник заломлення Недоліком використання такого оптичного попопереднього матеріалу. криття для напівпровідникових приладів, які праВикористання багатошарового об'ємного опцюють в широкій області спектра оптичного діапатичного покриття для активних пристроїв інтегразону є: обмежений клас полімерів придатних для льної оптики та багатофункціональних приладів об'ємного оптичного покриття в широкій області напівпровідникової фотоніки на основі ХСН із баспектра оптичного діапазону (незадовільне або гатокомпонентних систем Ge(Pb)-Sb(Bi,Ga)-S(Se) зовсім відсутнє пропускання випромінювання в та легованих рідкісноземельними елементами Се, близькій ультрафіолетовій або середній ІЧ області Pr, Tb, Dy, Sm, Eu, Er, Nd дозволяє одержати актиспектра), низький показник заломлення матеріала вні об'ємні оптичні покриття за рахунок їх люмінеполімера (n=1,66) по відношенню до матеріалу сцентного випромінювання у видимому та середнапівпровідникового приладу, що обмежує обньому ІЧ діапазоні спектра при збудженні ласть їх використання та складний технологічний випромінюванням напівпровідникового елемента із процес одержання оптичного покриття. близького ультрафіолетового або синього діапаВідомі об'ємні оптичні покриття [5], які вибрані зону спектра. Вибором рідкісноземельного іонаяк найближчий аналог, для випромінюючих напівактиватора задається електронний склад активнопровідникових приладів, які працюють у видимій і го оптичного покриття та визначається робота наблизькій ІЧ області спектра з використанням амопівпровідникового елемента або активного елемерфної кремнієвої плівки та об'ємного покриття на нта інтегральної оптики в цілому. основі ХСН AS2S3 або йому подібних. Такі оптичні Фізико-хімічні та оптичні властивості склоподіпокриття забезпечують покращення світлотехнічбних напівпровідникових матеріалів наведені в них параметрів випромінюючих напівпровідникотаблиці 1 та таблиці 2. вих приладів, дозволяють керувати світловими Покращення оптичних та експлуатаційних папотоками, виконують механічний захист, а матеріраметрів приладів напівпровідникової фотоніки та али для такого покриття технологічні у виготовактивних елементів інтегральної оптики зумовлеленні та відповідають вимогам, які ставляться до не, головним чином, використанням багатошарооптичного покриття напівпровідникових приладів. вого об'ємного оптичного покриття на основі ХСН, Недоліком використання таких оптичних пощо заявляються, у вигляді напівсферичної або криттів для напівпровідникових приладів, які пракуполоподібної форми, яке одночасно виконує цюють в широкій області спектра оптичного діапаефект просвітлення при виконанні функцій механізону є: необхідність одночасного використання чного захисту та керування діаграмою направлерізних матеріалів, що значно обмежує клас матеності випромінювання. ріалів придатних для використання та ускладнює Ефект просвітлення випромінюючого напівтехнологію їх нанесення, низька температура плапровідникового елемента відбувається за рахунок влення покриття (тільки певні пропорції компонензбільшення критичних кутів виходу випромінювантів ХСН дозволяють отримати скла з низькою темня з нього при розміщенні його в середовищі з попературою розм'якшення, які забезпечують роботу казником заломлення n, що задовольняє умові: приладів), обмежений діапазон керування світлоnс