Об’ємні оптичні покриття

Об'ємні оптичні покриття, які виготовлені на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і містять сірку або селен, які відрізняються тим, що виготовлені із матеріалів багатокомпонентних систем Ge(Pb)-Ga(Sb, Bi)-S(Se) та містять хоча б один шар покриття, матеріал якого легований хоча б одним рідкісноземельним елементом (Cs, Pr, Tb, Dy, Sm, Eu, Er, Nd, La). (19) (21) u200907909 (22) 27.07.2009 (24) 10.12.2009 (46) 10.12.2009, Бюл.№ 23, 2009 р. (72) БЛЕЦКАН ДМИТРО ІВАНОВИЧ, КАБАЦІЙ ВАСИЛЬ МИКОЛАЙОВИЧ (73) БЛЕЦКАН ДМИТРО ІВАНОВИЧ, КАБАЦІЙ ВАСИЛЬ МИКОЛАЙОВИЧ 3 46297 4 фора, активованого рідкісноземельними елеменвлені із матеріалів багатокомпонентних систем тами та полімеру певної об'ємної форми. Такі опGe(Pb)-Ga(Sb, Bi)-S(Se) та містять хоча б один тичні покриття розширюють область використання шар покриття, матеріал якого легований хоча б випромінюючих напівпровідникових приладів, заодним рідкісноземельним елементом (Cs, Pr, Tb, безпечують покращення їх світлотехнічних параDy, Sm, Eu, Er, Nd, La). метрів у видимій та близькій 14-області спектра, Використання об'ємного оптичного покриття дозволяють керувати світловими потоками, викодля активних пристроїв інтегральної оптики та нують механічний захист, а матеріали покриття багатофункціональних приладів напівпровідникотехнологічні у виготовленні та відповідають вимової фотоніки на основі ХСН із багатокомпонентних гам, які ставляться до оптичного покриття напівсистем Ge(Pb)-Sb(Bi,Ga)-S(Se), легованих рідкіспровідникових приладів. ноземельними елементами Се, Pr, Tb, Dy, Sm, Eu, Недоліком використання такого оптичного поEr, Nd дозволяє одержати активні об'ємні оптичні криття для напівпровідникових приладів, які прапокриття за рахунок їх люмінесцентного випроміцюють в широкій області спектра оптичного діапанювання у видимому та середньому 14 діапазоні зону є: обмежений клас полімерів придатних для спектра при збудженні випромінюванням напівоб'ємного оптичного покриття в широкій області провідникового елемента із близького ультрафіоспектра оптичного діапазону (незадовільне або летового або синього діапазону спектра. Вибором зовсім відсутнє пропускання випромінювання в рідкісноземельного іона-активатора задається близькій ультрафіолетовій або середній 14 області електронний склад активного оптичного покриття спектра), низький показник заломлення матеріалу та визначається робота напівпровідникового елеполімеру (т=1,66) по відношенню до матеріалу мента або активного елемента інтегральної оптики напівпровідникового приладу, що обмежує обв цілому. ласть їх використання та складний технологічний Фізико-хімічні та оптичні властивості склоподіпроцес одержання оптичного покриття. бних напівпровідникових матеріалів наведені в Відомі об'ємні оптичні покриття [5], які є найтаблиці. ближчим аналогом, для випромінюючих напівпроПокращення оптичних та експлуатаційних павідникових приладів, які працюють у видимій і блираметрів приладів напівпровідникової фотоніки та зькій 14 області спектра з використанням активних елементів інтегральної оптики зумовлеаморфної кремнієвої плівки та об'ємного покриття не, головним чином, використанням об'ємного опна основі ХСН AS2S3 або йому подібних. Такі оптитичного покриття на основі ХСН, що заявляються, чні покриття забезпечують покращення світлотеху вигляді напівсферичної або куполоподібної форнічних параметрів випромінюючих напівпровідними, яке одночасно виконує ефект просвітлення кових приладів, дозволяють керувати світловими при виконанні функцій механічного захисту та кепотоками, виконують механічний захист, а матерірування діаграмою направленості випромінюванали для такого покриття технологічні у виготовня. ленні та відповідають вимогам, які ставляться до Ефект просвітлення випромінюючого напівоптичного покриття напівпровідникових приладів. провідникового елемента відбувається за рахунок Недоліком використання таких оптичних позбільшення критичних кутів виходу випромінюванкриттів для напівпровідникових приладів, які праня з нього при розміщенні його в середовищі з поцюють в широкій області спектра оптичного діапаказником заломлення п, що задовольняє умові: зону є: необхідність одночасного використання nс