Пристрій для зчитування цифрової інформації з магнітного носія

Пристрій для зчитування цифрової інформації з магнітного носія, що містить блок імпульсного збудження, підключений до вхідної обмотки магнітомодуляційної головки, блок виділення полярності імпульсів, виконаний у вигляді двох паралельних ланцюгів, кожний з яких складається зі з'єднаних послідовно тиристора, резистора та першого транзистора, паралельно колекторно-емітерному переходу та до ланцюга бази якого підключені другий та третій резистори, причому треті резистори підключені перехресно до колекторів перших транзисторів, кожний з двох паралельних ланцюгів обладнано другим транзистором, базу якого підклю 3 ковими конденсаторами, що дозволить значно підвищити щільність запису-зчитування цифрової інформації. Поставлена задача досягається тим, що у пристрої для зчитування цифрової інформації з магнітного носія, що містить блок імпульсного збудження, підключений до вхідної обмотки магнітомодуляційної головки, блок виділення полярності імпульсів, виконаний у вигляді двох паралельних ланцюгів, кожний з яких складається зі з'єднаних послідовно тиристора, резистора та першого транзистора, паралельно колекторно-емітерному переходу та до ланцюга бази якого підключені другий та третій резистори, причому треті резистори підключені перехресно до колекторів перших транзисторів, кожний з двох паралельних ланцюгів обладнано другим транзистором, базу якого підключено через четвертий резистор до вихідної шини ланцюга, колектор - до кінця сигнальної обмотки магнітомодуляційної головки та через п'ятий резистор до емітера, який з'єднано з катодом тиристора, управляючий електрод якого підключено до початку сигнальної обмотки магнітомодуляційної головки, причому аноди тиристорів з'єднано з вхідною шиною синусоїдної напруги, а конденсатор підключено до першого резистора, згідно корисної моделі, розташовано додаткову магнітомодуляційну головку, вхідну обмотку якої підключено до блока імпульсного збудження, а сигнальні обмотки - до другого блока виділення полярності імпульсів ідентичного основному блоку виділення полярності імпульсів, перший елемент І, входи якого з'єднано з додатковими конденсаторами та через перші діоди з вихідною шиною перших ланцюгів, та другий елемент І, входи якого з'єднано з додатковими конденсаторами та через другі діоди з вихідною шиною других ланцюгів. Суть корисної моделі пояснюється кресленням, де зображено пристрій для зчитування цифрової інформації з магнітного носія (Фіг.1), що містить вхідну шину 1 синусоїдної напруги, спільну шину 2, блок імпульсного збудження 3, магнітомодуляційні головки 4 та 5 з вхідними обмотками 6 та 7, сигнальними обмотками 8, 9 та 10, 11 відповідно, блоки 12 та 13 виділення полярності імпульсів у складі тиристорів 14-17, транзисторів 18-25, резисторів 26-45, основних конденсаторів 46-49 та вихідних шин ланцюгів 50-53, діоди 54-57, додаткові конденсатори 58-61 та елементи І 62 та 63. На Фіг.2 наведено часові діаграми роботи пристрою. Пристрій для зчитування цифрової інформації з магнітного носія працює наступним чином. Блок 3 імпульсного збудження із синусоїдної напруги (епюра u, Фіг.2) виробляє імпульси (епюра u3, Фіг.2), які подаються до вхідних обмоток 6 та 7 магнітомодуляційних головок 4 та 5. У вихідному положенні тиристори 14-17 та транзистори 18-25 заперті, та шунтівний вплив їхніх колекторноемітерних переходів незначний. При зчитуванні 60450 4 складової напруженості зовнішнього магнітного поля сигналограми магнітомодуляційною головкою 4, що відповідає логічній «1», вмикається тиристор 14, що призводить до підключення резистора 27 до вхідної шини 1 синусоїдної напруги, при цьому на резисторі 28 виділяється сигнал, що відмикає транзистор 19 по емітерно-базовому переходу та подається на вихідну шину ланцюга 50 (епюра u 50, Фіг.2). Електромагнітна перешкода тієї ж полярності, що й «1», у подальшому до закінчення позитивної півхвилі не змінює стан пристрою, а протилежної - вмикає тиристор 15, що призводить до підключення вхідної шини 1 синусоїдної напруги через резистор 29 до колектора транзистора 19, шунтуючого своїм колекторно-емітерним переходом резистор 30. При цьому установлюється незначний струм бази транзистора 18, який залишається замкнутим до закінчення позитивної півхвилі. Тиристор 14 вмикається імпульсами, що подаються з сигнальної обмотки 8 магнітомодуляційної головки 4, при перевищенні ними порога спрацювання 1 (епюра u8, Фіг.2). Це спричиняє виділення сигналу на першому резисторі 27, заряд конденсатора 46 (епюра u46, Фіг.2), шунтування п'ятого резистора 32 черезвідмикання другого транзистора 22 та зменшення порога спрацювання до величини 2 (епюра u8, Фіг.2). Зазначений стан пристрою зберігається до наступного імпульсу з виходу сигнальної обмотки 8 магнітомодуляційної головки 4, який через можливе збільшення зазору між магнітомодуляційною головкою 4 та магнітним носієм (не зображений) хоч і стає меншим ніж поріг спрацювання 1, але завдяки перевищенню порога спрацювання 2 вмикає тиристор 14 (епюра u8, Фіг.2). При зчитуванні іншої складової напруженості зовнішнього магнітного поля сигналограми магнітомодуляційною головкою 5, що відповідає логічній «1», додатковий блок виділення полярності імпульсів 13 працює аналогічно (епюри u10, u48, u52, Фіг.2). Імпульси з вихідних шин перших ланцюгів 50 та 52 через випрямлячі, зібрані на перших діодах 54 та 56 та перших додаткових конденсаторах 58 (епюра u58, Фіг.2) та 60 (епюра u60, Фіг.2), подаються на входи першого елемента І 62, на виході якого виділяється сигнал Вихід «1» (епюра Вихід «1», Фіг.2). Після закінчення зчитування «1» пристрій установлюється у вихідне положення. При зчитуванні «0» пристрій працює аналогічно. Зазначена конструкція пристрою забезпечить високу надійність роботи при зчитуванні цифрової інформації в умовах підвищеної щільності запису магнітних відбитків, дії електромагнітних перешкод та коливань зазору між носієм та магнітомодуляційними головками. 5 60450 6 7 Комп’ютерна верстка А. Рябко 60450 8 Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601