Спосіб визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі
Номер патенту: 84146
Опубліковано: 10.10.2013
Автори: Басов Геннадій Григорійович, Лисак Дмитро Володимирович
Формула / Реферат
Спосіб визначення хибних луна-сигналів поверхневої хвилі по зміні часу надходження луна-сигналу при переміщенні перетворювача і зміні амплітуди луна-сигналу при натисненні на місце проходження або відбиття поверхневої хвилі, який відрізняється тим що для перевірки відбиття поверхневої хвилі від краю деталі додатково порівнюють відстань l1, від перетворювача до краю деталі, заміряну на деталі, з величиною l2, визначеною розрахунковим шляхом по її залежності від часу t надходження луна-сигналу поверхневої хвилі та її швидкості cs за допомогою співвідношення:
l2=0,5tcs.
Текст
Реферат: UA 84146 U UA 84146 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до області ультразвукового контролю сталевих виробів і може бути використана для визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі. Відомо спосіб визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі від краю сталевої деталі при ультразвуковому контролі прямим перетворювачем, який полягає в тому, що хибний луна-сигнал визначають за ознаками хибних луна-сигналів відбиття паразитної поверхневої хвилі є зміна часу їх надходження при переміщенні перетворювача відносно краю деталі і змінюють амплітуду луна-сигналу, натискаючи змоченим мастилом тампоном на місце, через яке проходить, або від якого відбивається поверхнева хвиля, яка спричиняє хибний лунасигнал [Ермолов И. Н. Теория и практика ультразвукового контроля / И. Н. Ермолов. - М.: Машиностроение, 1981.-240 с]. Цей спосіб вибрано за найближчий аналог. Недоліком відомого способу є недостатність ознак визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі від краю деталі, якщо на шляху розповсюдження поверхневої хвилі розташований дефект поверхні. Луна-сигнали від дефекту можуть мати ознаки відомого способу визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі від краю деталі і можуть бути віднесені до хибних. За результатами ультразвукового контролю деталь буде визнана годною, хоча насправді вона буде з поверхневим дефектом і є бракованою. В основу корисної моделі поставлена задача удосконалення способу визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі при ультразвуковому контролі виробів із сталі шляхом розробки ознаки, що визначає хибні луна-сигнали від краю деталі при наявності поверхневого дефекту, що приведе до виключення помилкового пропуску деталей з браком. Поставлена задача вирішується тим, що в способі визначення хибних луна-сигналів паразитної поверхневої хвилі, який полягає у зміні часу надходження луна-сигналу при переміщенні перетворювача і зміні амплітуди луна-сигналу при натисненні на місце проходження або відбиття поверхневої хвилі, відповідно до корисної моделі, для перевірки відбиття поверхневої хвилі від краю деталі додатково порівнюють відстань l 1, від перетворювача до краю деталі, заміряну на деталі, з величиною l2, визначеною розрахунковим шляхом по її залежності від часу t надходження луна-сигналу поверхневої хвилі та її швидкості cs за допомогою співвідношення: l2=0,5tcs. Шлях від перетворювача до місця відбиття імпульс поверхневої хвилі проходить двічі - туди і назад. Тому при розрахунку відстані l2 до місця відбиття поверхневої хвилі ставлять коефіцієнт 0,5. Луна-сигнал поверхневої хвилі є хибним, якщо заміряна відстань від перетворювача до краю деталі співпадає з розрахунковою (l2=l1). Якщо заміряна відстань від перетворювача до краю деталі більше розрахункової (l2
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюBasov Hennadii Hryhorovych
Автори російськоюБасов Геннадий Григорьевич
МПК / Мітки
МПК: G01N 29/04
Мітки: визначення, хвилі, хибних, спосіб, поверхневої, луна-сигналів, відбиття
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-84146-sposib-viznachennya-khibnikh-luna-signaliv-vidbittya-poverkhnevo-khvili.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб визначення хибних луна-сигналів відбиття поверхневої хвилі</a>
Попередній патент: Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі
Наступний патент: Контрольний зразок для визначення променевої роздільної здатності при детермінації несуцільностей металу поблизу донної поверхні
Випадковий патент: Канал вимірювання кутових швидкостей літальних апаратів з використанням частот міжмодових биттів та розширеними можливостями