Кособуцький Петро Сидорович

Номер патенту: 26018

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Кособуцький Петро Сидорович, Кушнір Олег Павлович

МПК: G01N 21/00

Мітки: світла, визначення, плівці, загасання, спосіб, плоскопаралельної, одноплівкової, структури, показника

Формула / Реферат:

Спосіб визначення показника загасання світла в плівці плоскопаралельної одноплівкової структури, згідно з яким вибирають інтервал довжин хвиль при нормальному падінні світла на поверхню структури, який відрізняється тим, що вимірюють залежність коефіцієнта відбивання світла від довжини світлової хвилі та визначають значення коефіцієнта відбивання в максимумі смуги інтерференції по обвідній максимумів при двох довільних значеннях довжини...

Номер патенту: 24663

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Кушнір Олег Павлович, Кособуцький Петро Сидорович

МПК: G01N 21/00

Мітки: межі, багатошарової, визначення, структури, кута, плоскопаралельної, верхньої, брюстера, спосіб, поділу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кута Брюстера для верхньої межі поділу багатошарової плоскопаралельної структури, згідно з яким вимірюють кутову залежність енергетичного коефіцієнта відбивання світла при похилому падінні його на поверхню в р-поляризації, який відрізняється тим, що вимірюють кутові залежності енергетичного коефіцієнта відбивання світла із заданою довжиною хвилі від багатошарової плоскопаралельної структури при трьох або більше довільних...

Номер патенту: 5764

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Кособуцький Ярослав Петрович, Моргуліс Алла Михайлівна, Кособуцький Петро Сидорович, Каркульовська Мар'яна Савівна

МПК: G01R 27/02, G01R 27/04

Мітки: фазі, спосіб, світлової, плоскопаралельним, середовищем, відбитої, плоскої, визначення, спектра, хвилі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення спектра фази плоскої світлової хвилі під час відбиття її від плоскопаралельного прозорого середовища, що включає вимірювання амплітудного спектра відбиття та визначення спектра фази, який відрізняється тим, що на даній частоті вимірюють значення коефіцієнта відбиття R(ω) і по обвідних максимумах вимірюють значення коефіцієнта відбиття в максимумі смуги інтерференції Rmax(ω), і фазу визначають за формулою

Номер патенту: 25452

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Пелещишин Роман Іванович, Крочук Ананій Савович, Гаркавенко Олександр Семенович, Кособуцький Петро Сидорович

МПК: H01L 21/268

Мітки: сполук, контактів, поверхні, омічних, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічних контактів на поверхні сполук A3B5 шляхом напилення металевої плівки, лазерного відпалу і опромінення лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що перед напиленням металевої плівки область контакту опромінюють імпульсним лазерним випромінюванням з густиною потужності, достатньою для насичення поверхні напівпровідника атомами металевої компоненти кристалічної гратки.