Однокристальний перетворювач імітансу

Реферат: UA 88823 U UA 88823 U 5 10 15 20 25 30 35 Корисна модель належить до автоматики і може бути використана як перетворювач імітансу з електронним управлінням характеру коефіцієнта перетворення імітансу. Відомий перетворювач імітансу на основі двох біполярних транзисторів і двох резисторів [Бенинг Ф. Отрицательное сопротивление в электрических схемах / Φ.Бенинг. - Μ.: Сов. радио, 1975. - 288 с, див. С. 121, рис. 2.38]. Недоліком такого перетворювача імітансу є його низька температурна стабільність і значне споживання енергії, яке обумовлене використанням двох транзисторів, а також обмежений частотний діапазон, пов'язаний з наявністю у схемі перехресних зв'язків. Найбільш близьким до пристрою, що заявляється, є однокристальний перетворювач імітансу, який складається з польового транзистора, стік якого через перший резистор з'єднується з першою клемою живлення і через перший конденсатор поєднується з вихідною клемою, витік польового транзистора з'єднаний зі спільною шиною, а затвор транзистора через другий конденсатор з'єднаний з вхідною клемою і через другий резистор під'єднаний до другої клеми живлення [Филинюк Н. А. Активные СВЧ фильтры на транзисторах / Н. А. Филинюк.-М.: Радио и связь, 1987.- 112 с.-див. С. 169, рис. 1. 166]. Недоліком такого однокристального перетворювача імітансу є обмежені функціональні можливості, оскільки він при замираючій напрузі на затворі має тільки властивості інвертора імітансу. В основу корисної моделі поставлена задача розробки однокристального перетворювача імітансу, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків розширюються його функціональні можливості. Поставлена задача вирішується тим, що у схемі однокристального перетворювача імітансу, що складається з польового транзистора, стік якого через перший резистор поєднується з першою клемою живлення і через перший конденсатор поєднується з вихідною клемою, витік польового транзистора з'єднаний зі спільною шиною, а затвор транзистора через другий конденсатор з'єднаний з вхідною клемою і через другий резистор під'єднаний до другої клеми живлення, стік польового транзистора через послідовно включені третій конденсатор і третій резистор з'єднаний із затвором транзистора. На кресленні наведена схема однокристального перетворювача імітансу (Фіг.). Пристрій містить: польовий транзистор 1, стік якого через перший резистор 2 з'єднаний з першою клемою живлення 3 і через перший конденсатор 4 з'єднаний з вихідною клемою 5, витік польового транзистора 1 з'єднаний зі спільною шиною 6, а затвор польового транзистора 1 через другий конденсатор 7 з'єднаний з вхідною клемою 8 і через другий резистор 9 з'єднаний з другою клемою живлення 10, стік польового транзистора 1 через послідовно включені третій конденсатор 11 і третій резистор 12 з'єднаний із затвором польового транзистора 1. Пристрій працює наступним чином. При подачі на затвор польового транзистора 1 прямого зміщення він описується матрицею провідності подібній матриці провідності біполярного транзистора в активному режимі, який включений за схемою зі спільним колектором y    Z 1  R    Z  Z  1   ZE  Z  1            Y11 Y12  ,   Y  12 Y22    (1) 40 де RП і ΖΑ - опори пасивної та активної частин каналу; ΖΕ – опір відкритого затвору польового  транзистора;  - коефіцієнт передачі по току польового транзистора у режимі прямо зміщеного  45       затвору; Z  R   Z   ZE  Z  1    Z 2 1   .  Вхідна провідність (перетворювана провідність) між вхідною клемою 8 і спільною шиною 6 дорівнює YBX=Y11-Y12Y21/(Y22+YH) = (ΔY+Y11YH)/(Y22+YH), 50 (2) де ΔΥ = Υ11Υ22 – Υ12Y22, YH - перетворювана провідність. Третій резистор 12 через третій конденсатор 11 шунтує по змінному струму пасивну область каналу, при великих прямих струмах затвору польового транзистора 1, коли ZE  0 і при  обранні значення третього шунтуючого третього резистора 12 рівним Rш =1/Gш = ΔΖ/ΖΑ   1 ,   маємо ΔY  0. Тоді 1 UA 88823 U YBX  Y11YH/(Y22+YH).· (3) Задаючись величиною перетворюваної провідності з умови YH