Матеріал для інтерференційних покриттів
Номер патенту: 110235
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Мозкова Ольга Володимирівна, Магунов Ігор Робертович, Зінченко Віктор Федосійович, Чигринов Валентин Ерленович
Формула / Реферат
1. Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить германій елементний та стибію халькогенід, який відрізняється тим, що як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %:
стибію селенід
85,0÷90,0
германій елементний
10,0÷15,0.
2. Тонкоплівкове одношарове покриття, виконане з матеріалу, до складу якого входить германій елементний та стибію халькогенід, яке відрізняється тим, що має показник заломлення 3,66 в області спектра 770÷940 нм, а матеріал покриття як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %:
стибію селенід
85,0÷90,0
германій елементний
10,0÷15,0.
Текст
Реферат: Винаходи належать до оптичного приладобудування, а саме до інтерференційної оптики. Заявлено матеріал для інтерференційних покриттів, що містить Sb2Se3 та Ge за наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0, германій елементний 10,0÷15,0, а тонкоплівкове одношарове покриття, виконане з цього матеріалу, має показник заломлення 3,66 в області спектра 770÷940 нм. Винаходи забезпечують задовільні оптичні параметри покриття та його високу механічну міцність. UA 110235 C2 (12) UA 110235 C2 UA 110235 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Винахід належить до оптичного приладобудування, а саме до інтерференційної оптики. Відомий матеріал композит Sb2S3-Ge для інтерференційного покриття, що наносять резистивним випаровуванням у вакуумі і що має показник заломлення 3,1 при =560 нм та є прозорим у діапазоні 0,5-13 мкм (див. пат. UA № 81076 МПК G02B 5/28, опубл. 25.06.2013, Бюл. № 12). Відомий матеріал вибрано як прототип матеріалу для інтерференційних покриттів. Спільними ознаками у прототипу та винаходу, що заявляється, є високий показник заломлення (понад 3,0) та область оптичної прозорості (14 діапазон), а також спосіб нанесення покриття (резистивне випаровування у вакуумі). Але композит Sb2S3-Ge при випаровуванні утворює покриття з не надто високим показником заломлення. Відоме тонкоплівкове одношарове покриття (див. заявка № а201212779 від 09.11.2012, МПК G02B 5/28, що виконане з матеріалу, який містить германій елементний та Sb2S3 та має показник заломлення 3,0-3,1. Його вибрано за прототип тонкоплівкового одношарового покриття. В основу винаходу поставлено задачу створити матеріал з більш високим (понад 3,6) показником заломлення для інтерференційних покриттів та відповідне одношарове покриття, до складу якого входить вказаний матеріал, що має таку ж або більшу механічну міцність. Поставлена задача вирішена групою винаходів, що об'єднані єдиним винахідницьким задумом, а саме, матеріалом для інтерференційних покриттів та одношаровим покриттям. В першому винаході поставлена задача вирішена в матеріалі для інтерференційних покриттів на основі композиту, що містить стибію халькогенід та германій елементний таким чином, що як халькогенід застосовано стибію селенід за наступним співвідношенням названих компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. У другому винаході поставлена задача вирішена в тонкоплівковому одношаровому покритті, що виконане з матеріалу, до складу якого входить германій елементний та стибію халькогенід, тим, що воно має показник заломлення 3,66 в області спектра 770÷940 нм та механічну міцність понад 7000 обертів (група 0), а матеріал покриття як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. Досягнення заявленого технічного результату можна пояснити наступним. У процесі термічного випаровування відбувається взаємодія Sb2Se3 з Ge за схемою: Sb2Se3+Ge → 2SbSe↑+GeSe↑. Завдяки цій реакції утворюються легколеткі речовини (SbSe та GeSe), що переходять у газуватий стан. При цьому вони додатково очищуються від малолетких домішок, зокрема GeО2. При конденсації на підкладці при нижчій температурі частково відбувається зворотний процес: 2SbSe+GeSe → Sb2Se3+Ge, продукти якого утворюють склоподібне покриття, яке при нагріванні утворює нанокомпозит. Новим у першому винаході є те, що матеріал для інтерференційних покриттів містить стибію селенід та германій елементний, за наступним співвідношенням названих компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. Новим у другому винаході є те, що тонкоплівкове одношарове покриття має показник заломлення 3,66 в області спектра 770÷940 нм, а матеріал покриття як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. Матеріал для інтерференційних покриттів готують таким чином: зразки системи Sb2Se3-Ge синтезують шляхом спікання при 400-450 °C в інертній атмосфері (Аr) попередньо розтертих та спресованих у таблетки компонентів - стибію селеніду та елементного германію. Стибію селенід, в свою чергу, готують шляхом стоплення з елементних стибію й селену, узятих у стехіометричному співвідношенні, в запаяній й евакуйованій ампулі з кварцового скла. За даними РФА, зразки матеріалу для інтерференційних покриттів є гетерофазними і містять в основному Sb2Se3 (ромбічна сингонія) та аморфну компоненту. Приклад 1 Одержали матеріал для інтерференційних покриттів, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, мас. %: стибію селенід 85,0 1 UA 110235 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 германій елементний 15,0. Приклад 2 Одержали матеріал для інтерференційних покриттів, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, мас. %: стибію селенід 90,0 германій елементний 10,0. Приклад 3 Одержали матеріал для інтерференційних покриттів, як описано вище. Компоненти брали у такому співвідношенні, мас. %: стибію селенід 86,9 германій елементний 13,1. Це співвідношення відповідає стехіометрії за цілковитого перебігу реакції з утворенням летких продуктів при термічному випаровуванні суміші. При певному надлишку компонентів вони залишаються не випаруваними, що робить процес менш ефективними. Крім того, надлишок Sb2Se3 призводить до потреб у зміні режиму випаровування через його меншу леткість. У той же час незначні відхилення від стехіометрії (у середньому ±2,0 мас. %) не позначаються суттєво на ефективності процесу. Приклад 4 Одношарове покриття, з матеріалу, що заявляється, готують таким чином: у ванночку з молібденової фольги випарника закладають таблетку, яка містить 86,9 мас. % Sb2Se3+13,1 мас. % Ge. Оптичну деталь зі знежиреними поверхнями встановлюють у гніздо підкладкоутримувача, а контрольну пластину зі знежиреними поверхнями встановлюють у гніздо фотометричного пристрою для контролю товщини шарів. Зачиняють вакуумну камеру та розпочинають відкачку з -3 неї повітря. Коли у камері досягнуто вакуум 1·10 Па, вмикають обігрівання підкладок (ТЕН або інфрачервоні лампи); камера розігрівається до 150 °C та утримується при цій температурі протягом 1 години (температура у камері контролюється за допомогою термопари, яка розміщена поблизу поверхні оптичної деталі, на яку буде нанесено покриття). Вмикають живлення на випарнику і розігрівають ПУМ до розтопленого стану; витримують розтоп під захисним екраном, доки не стабілізується тиск у вакуумній камері, після чого відводять захисний екран від випарника. За допомогою фотометричного пристрою контролюють товщину шару, який утворюється на контрольній пластині; коли показання фотометричного пристрою свідчать, що досягнута потрібна товщина шару, вимикають живлення на випарнику і переводять захисний екран в положення над випарником. Процес термічного випаровування у вакуумі проводився за наступними параметрами: спосіб нагрівання - резистивний; -3 вакуум у камері ВУ-1А - 1·10 Па; температура підкладки - 100 °C; швидкість нанесення плівкового шару - 120-180 нм/хв. Параметри одношарових плівкових покриттів (фізична товщина 515 нм): n (показник заломлення при =770 нм) - 3,66; Н (механічна міцність) - 7000 обертів; чистка серветкою зі спиртом - витримує; тривкість до вологої атмосфери - витримує; тривкість до термоудару - витримує, структура покриття - рентгеноаморфне. Механічну міцність покриттів визначають стиранням обгорнутою батистовою тканиною гумовим наконечником на приладі СМ-55; робоча частина наконечника має бути закруглена за сферою радіусом 3 мм. Режим випробування: навантаження на стираючий наконечник - 200 г; частота обертання деталі з покриттям - 500 об/хв.; відстань від осі обертання деталі до осі наконечника - 5 мм. Після випробувань на стирання поверхні деталі з покриттям продивляються у відбитому світлі на фоні чорного екрана при освітленні електролампою потужністю 60-100 Вт. Деталь вважають придатною, якщо немає наскрізної кільцевої суцільної або переривистої подряпини. Група механічної міцності визначається кількістю обертів, яке витримало покриття: 0 група покриття допускає чистку батистовою серветкою із застосуванням спирту або спиртово-ефірної суміші і витримує не менше 3000 обертів на приладі СМ-55; 1 група - покриття допускає чистку 2 UA 110235 C2 5 батистовою серветкою із застосуванням спирту або спиртово-ефірної суміші і витримує не менше 2500 обертів на приладі СМ-55. Матеріал у покритті (див. приклад 4) має задовільні оптичні параметри (показник заломлення на рівні вимог - 3,6), а також механічну міцність групи 0, що не тільки не поступається, а й перевищує таку для прототипу. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 10 15 1. Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить германій елементний та стибію халькогенід, який відрізняється тим, що як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. 2. Тонкоплівкове одношарове покриття, виконане з матеріалу, до складу якого входить германій елементний та стибію халькогенід, яке відрізняється тим, що має показник заломлення 3,66 в області спектра 770÷940 нм, а матеріал покриття як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %:стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. Комп’ютерна верстка Д. Шеверун Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюStated material for interference coatings
Автори англійськоюZinchenko Viktor Feodosiiovych, Chygrynov Valentyn Erlenovych, Mozkova Olha Volodymyrivna, Mahunov Ihor Robertovych
Назва патенту російськоюМатериал для интерференционных покрытий
Автори російськоюЗинченко Виктор Федосеевич, Чигринов Валентин Ерленович, Мозкова Ольга Владимировна, Магунов Игорь Робертович
МПК / Мітки
МПК: G02B 5/28
Мітки: інтерференційних, покриттів, матеріал
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-110235-material-dlya-interferencijjnikh-pokrittiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Матеріал для інтерференційних покриттів</a>
Попередній патент: Комірковий гідроробот-фільтр
Наступний патент: Вогнестійкий матеріал для покриттів adina
Випадковий патент: Спосіб зниження впливу погодних умов на продуктивність культур в зерновій сівозміні