Чигринов Валентин Ерленович

Номер патенту: 110235

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Магунов Ігор Робертович, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович, Зінченко Віктор Федосійович

МПК: G02B 5/28

Мітки: покриттів, інтерференційних, матеріал

Формула / Реферат:

1. Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить германій елементний та стибію халькогенід, який відрізняється тим, що як стибію халькогенід містить Sb2Se3 з наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0. 2. Тонкоплівкове одношарове покриття, виконане з матеріалу, до складу якого...

Номер патенту: 97937

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Чигринов Валентин Ерленович, Мозкова Ольга Володимирівна, Магунов Ігор Робертович, Садковська Людмила Василівна

МПК: G02B 5/28

Мітки: інтерференційних, матеріал, покриттів

Формула / Реферат:

Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить MnIn2S4, який відрізняється тим, що додатково містить германій елементний при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: MnIn2S4 73,0¸75,0 германій елементний 25,0¸27,0.

Номер патенту: 107587

Опубліковано: 26.01.2015

Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Магунов Ігор Робертович, Чигринов Валентин Ерленович, Мозкова Ольга Володимирівна

МПК: G02B 5/28

Мітки: покриттів, матеріал, покриття, тонкоплівкове, інтерференційних, одношарове

Формула / Реферат:

1. Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить в основі Sb2S3, який відрізняється тим, що він додатково містить Ge за наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибій сульфід 80,0÷85,0 германій елементний 15,0÷20,0. 2. Тонкоплівкове одношарове покриття, виконане з матеріалу на основі Sb2S3, яке відрізняється тим, що має показник...

Номер патенту: 92947

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Магунов Ігор Робертович, Зінченко Віктор Федосійович, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович

МПК: G02B 5/28

Мітки: матеріал, інтерференційних, покриттів

Формула / Реферат:

Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить германій елементний та індію халькогенід, який відрізняється тим, що як індію халькогенід містить In2Se3 при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: індію селенід 85,0÷90,0 германій елементний 10,0÷15,0.

Номер патенту: 91274

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Чигринов Валентин Ерленович, Мозкова Ольга Володимирівна, Зінченко Віктор Федосійович

МПК: G02B 5/28

Мітки: сульфіду, цинку, світлопоглинальних, покриттів, високочистого, матеріалу, застосування

Формула / Реферат:

Застосування заздалегідь обробленого високочистого сульфіду цинку, позбавленого оксигенвмісних домішок як матеріалу для світлопоглинальних покриттів з механічною міцністю 0 групи.

Номер патенту: 87624

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Магунов Ігор Робертович, Зінченко Віктор Федосійович, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович

МПК: G02B 5/28

Мітки: інтерференційних, покриттів, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить германій елементний та стибій халькогенід, який відрізняється тим, що як стибій халькогенід містить Sb2Se3 при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: стибій селенід 85,0-90,0 германій елементний 10,0-15,0.

Номер патенту: 85460

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Соболь Валерій Петрович, Магунов Ігор Робертович, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович

МПК: G02B 5/28

Мітки: високочистого, інтерференційних, покриттів, цинку, застосування, матеріалу, сульфіду

Формула / Реферат:

Застосування заздалегідь обробленого високочистого сульфіду цинку, позбавленого оксигенвмісних домішок, як матеріалу для інтерференційних покриттів.

Номер патенту: 103827

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Садковська Людмила Василівна, Магунов Ігор Робертович, Мозкова Ольга Володимирівна, Соболь Валерій Петрович, Чигринов Валентин Ерленович

МПК: G02B 5/28

Мітки: матеріал, покриттів, інтерференційних

Формула / Реферат:

1. Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить германій елементний та халькогенід цинку, який відрізняється тим, що як халькогенід цинку виступає ZnSe, з наступним співвідношенням вказаних компонентів, мас. %: ZnSe 70,0¸65,0 Ge 30,0¸35,0. 2. Тонкоплівкове одношарове покриття, виконане з матеріалу, до складу якого входить германій елементний...

Номер патенту: 81076

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Мозкова Ольга Володимирівна, Зінченко Віктор Федосійович, Чигринов Валентин Ерленович, Магунов Ігор Робертович

МПК: G02B 5/28

Мітки: матеріал, інтерференційних, покриттів

Формула / Реферат:

Матеріал для інтерференційних покриттів, що містить в основі Sb2S3, який відрізняється тим, що він додатково містить Ge за наступним співвідношенням компонентів, мас. %: стибій сульфід 80,0¸85,0 германій елементний 15,0¸20,0.

Номер патенту: 78486

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Садковська Людмила Василівна, Чигринов Валентин Ерленович, Магунов Ігор Робертович

МПК: C01G 9/08

Мітки: сульфіду, оксидних, оптичного, домішок, цинку, матеріалу, очистки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки оптичного матеріалу цинку сульфіду від оксидних домішок шляхом його термообробки в інертній атмосфері зі стибію (III) сульфідом та відокремлення цільового продукту, який відрізняється тим, що спочатку здійснюють термообробку суміші при 580-600 °C, з наступною взаємодією її з порошкоподібним елементним германієм, який використовують у кількості 22-25 % до надлишку стибію (III) сульфіду, та проводять додаткову...

Номер патенту: 75529

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Соболь Валерій Петрович, Зінченко Віктор Федосійович, Садковська Людмила Василівна, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович, Магунов Ігор Робертович

МПК: G02B 5/28

Мітки: покриттів, одношарових, тонкоплівкових, матеріал

Формула / Реферат:

 Матеріал для тонкоплівкових одношарових покриттів, що містить германій елементний та халькогенід цинку, який відрізняється тим, що як халькогенід цинку використовують ZnSe, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: ZnSe 70,0¸65,0 Ge 30,0¸35,0.