Спосіб контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу та/або пристрої вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу

1. Спосіб контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу та/або пристрої вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу, що включає контролювання діелектричної проникності сипучих матеріалів в пристрої накопичення та пересування сипучого матеріалу, який відрізняє ться тим, що діелектричну проникність сипучих матеріалів контролюють на вході в пристрій накопичення сипучого матеріалу та/або в пристрій вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу, та/або у вхідній частині пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу, та/або діелектричну проникність сипучих матеріалів контролюють в частині технологічного впливу на сипучий матеріал пристрою накопичення сипучого матеріалу та/або пристрою вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу, та/або діелектричну проникність сипучих матеріалів контролюють на виході з пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або з пристрою вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу, та/або в ви хідній частині пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу, і вологість сипучих матеріалів вираховують по кожному отриманому показнику 2 (19) 1 3 19845 Корисна модель може бути використана при контролюванні вологості сипучих матеріалів у пристроях накопичення сипучого матеріалу, або пристроях вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу. Відомий спосіб визначення вологості твердих речовин, котрий включає визначення маси дослідного зразка, сушку його при обертальному русі та при постійній температурі сушильного агента, визначення маси дослідного зразка після сушки і визначення його вологості по відомій залежності [1]. Недоліком цього способу є те, що він не дозволяє здійснювати швидкий та оперативний контроль вологості сипучого матеріалу при пересуванні сипучого матеріалу у пристроях вертикального, та/чи горизонтального, та/чи похилого пересування сипучого матеріалу. Найбільш близьким є спосіб контролю вологості сипучих матеріалів, котрий включає контролювання діелектричної проникливості сипучого матеріалу в пристрої накопичення та пересування сипучого матеріалу [2]. Недоліком цього способу є те, що він не дозволяє точно контролювати вологість сипучого матеріалу у пристрої накопичення та пересування сипучого матеріалу. В основу корисної моделі поставлена задача шляхом вдосконалення способу контролю вологості сипучи х матеріалів збільшити точність контролю вологості сипучих матеріалів не зменшуючи оперативності контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або у пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 1. Поставлена задача вирішується тим, що в способі контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, котрий включає контролювання діелектричної проникливості сипучих матеріалів в пристрої накопичення та пересування сипучого матеріалу, новим е те, що діелектричну проникливість сипучих матеріалів контролюють на вході в пристрій накопичення сипучого матеріалу, та/або в пристрій вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, та/або у вхідній частині пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, та/або діелектричну проникливість сипучих матеріалів контролюють в частині технологічного впливу на сипучий матеріал пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, та/або діелектричну проникливість сипучих матеріалів контролюють на виході з пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або з пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, та/або в вихідній частині пристрою накопичення 4 сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, і вологість сипучих матеріалів вираховують по кожному отриманому показнику діелектричної проникливості сипучих матеріалів чи по визначеній кількості отриманих показників діелектричних проникливостей сипучих матеріалів. 2. Новим по п. 1 також є те, що разом з контролем діелектричної проникливості сипучих матеріалів здійснюють і контроль температури сипучих матеріалів, а вологість сипучих матеріалів вираховують по кожному отриманому показнику діелектричної проникливості сипучих матеріалів та по кожному отриманому показнику температури сипучих матеріалів, чи по визначеній кількості отриманих показників діелектричних проникливостей сипучих матеріалів та визначеній кількості показників температури сипучих матеріалів. 3. Новим по п. 1, 2 є те, що контроль діелектричної проникливості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, здійснюють разом з контролем температури сипучих матеріалів чи без контролю температури сипучих матеріалів, у об'ємі сипучих матеріалів, котрий не менше одного кубового дециметру. 4. Новим по п. 1-3 є те, що контроль діелектричної проникливості сипучих матеріалів, разом з контролем температури сипучи х матеріалів чи без контролю температури сипучи х матеріалів, у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, здійснюють саме тих сипучих матеріалів, котрі контактують хоча б з однією деталлю пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу, або знаходяться на відстані не більше двох метрів від найближчої деталі пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу. На фіг. 1 схематично зображено контроль вологості сипучого матеріалу (зерна) в пристрої вертикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарки), де І - вхідна частина пристрою вертикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарки), II - частина технологічного впливу пристрою веотикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарки), III - ви хідна частина пристрою вертикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарки), стрілкою V вказаний напрямок пересування сипучого матеріалу (зерна), стрілкою Q вказаний напрямок подачі гарячого повітря в пристрій вертикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарку). На фіг. 2 зображено переріз А - А, вказаний на фіг. 1. Спосіб здійснюють наступним чином. Діелектричну проникливість сипучих матеріалів 1 контролюють на вході в пристрій накопичення сипучого 5 19845 матеріалу, та/або в пристрій вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2. (На фіг. 1 схематично зображено пристрій вертикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарка)). Діелектричну проникливість сипучих матеріалів 1 також; контролюють у вхідній частині пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2 (на фіг. 1 частина І) за допомогою засобів контролю 3 (фіг. 1, 2). Засобом контролю З діелектричної проникливості сипучих матеріалів може бути електрична ємність спеціальної конструкції. В пристрої 2 може знаходитися як один сипучий матеріал так і суміш сипучих матеріалів. Діелектричну проникливість сипучих матеріалів 1 контролюють і в частині технологічного впливу на сипучий матеріал пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2 (на фіг.1 частина II). Технологічний вплив на сипучі матеріали (сушку зерна) здійснюють за допомогою гарячого повітря. (Стрілкою Q на фіг. 1 вказаний напрямок подачі гарячого повітря в пристрій вертикального пересування сипучого матеріалу (зерносушарку).) Напрямок пересування сипучого матеріалу на фіг. 1 вказаний стрілкою V. Діелектричну проникливість сипучих матеріалів 1 контролюють також на виході з пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або з пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2. І діелектричну проникливість сипучих матеріалів 1 контролюють в вихідній частині пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2 (на фіг. 1 частина III). Вологість сипучих матеріалів вираховують по кожному отриманому показнику діелектричної проникливості сипучих матеріалів чи по визначеній кількості отриманих показників діелектричних проникливостей сипучих матеріалів за допомогою відеоінформаційної системи 4 (фіг. 1, 2). Завдяки цьому, збільшують точність контролю вологості сипучих матеріалів 1 не зменшуючи оперативності контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або у пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2, оскільки здійснюють порівняння та аналіз результатів контролю сипучих матеріалів, отриманих в різних точках об'єму сипучи х матеріалів та в різний час. При отриманні результатів контролю сипучих матеріалів в різних точках об'єму сипучих матеріалів та в різний час, майже виключається вплив сторонніх перешкод на результати контролю. Разом з контролем діелектричної проникливості сипучих матеріалів 1 здійснюють і контроль температури сипучих матеріалів 1, а вологість сипучих матеріалів вираховують по кожному отриманому показнику діелектричної проникливості 6 сипучих матеріалів 1 та по кожному отриманому показнику температури сипучих матеріалів 1, чи по визначеній кількості отриманих показників діелектричних проникливостей сипучих матеріалів 1 та визначеній кількості показників температури сипучих матеріалів 1. Засоби контролю температури можуть бути розташовані у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2 так само як і засоби контролю діелектричної проникливості сипучих матеріалів 3, і можуть бути розташовані разом як один вузол контролю діелектричної проникливості сипучих матеріалів та їх температури. Діелектрична проникливість будь якого діелектричного матеріалу залежить від температури. Урахування температури сипучих матеріалів при контролі вологості сипучих матеріалів через контроль їх діелектричної проникливості, збільшить точність контролю вологості сипучих матеріалів не зменшуючи оперативності контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або у пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу. Контроль діелектричної проникливості сипучих матеріалів 1 у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2, здійснюють разом з контролем температури сипучих матеріалів 1 чи без контролю температури сипучих матеріалів 1, у об'ємі сипучих матеріалів 1, котрий не менше одного кубового дециметру. При збільшенні об'єму сипучих матеріалів 1, в котрих контролюють вологість, зростає і точність контролю вологості сипучих матеріалів 1. Тобто, це об'єм сипучих матеріалів 1, котрий попадає в зону дії засобів контролю 3 діелектричної проникливості сипучих матеріалів . При використанні електричних ємностей для контролю діелектричної проникливості сипучих матеріалів 1, це буде об'єм сипучих матеріалів 1, що попадає між: обкладками електричних ємностей у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або у пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2. Контролювати діелектричну проникливість сипучих матеріалів 1 в об'ємі меншим від одного кубового дециметру не доцільно, оскільки контроль вологості сипучи х матеріалів в цьому випадку буде дуже неточним. Контроль діелектричної проникливості сипучих матеріалів 1, разом з контролем температури сипучих матеріалів 1 чи без контролю температури сипучих матеріалів 1, у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2, здійснюють саме тих сипучих матеріалів 1, котрі контактують хоча б з однією деталлю пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2, або знаходяться на відстані не більше двох метрів від найближчої деталі пристрою накопичення сипучого матеріалу, та/або 7 19845 пристрою вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2. Такий контроль вологості та температури сипучого матеріалу 1 дозволяє моделювати температурне поле та поле розподілу вологості (воно залежне від поля температур) по всьому об'ємі сипучого матеріалу 1, котрий знаходиться в окремій частині у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу 2 за допомогою методів кінцевих та межових елементів і додатково виключати вплив сторонніх перешкод на результати контролю. Це також: збільшує точність контролю вологості сипучи х матеріалів. Таким чином вказаний спосіб контролю вологості сипучих матеріалів у пристрої накопичення сипучого матеріалу, та/або пристрої вертикального, та/чи горизонтального, та/чи нахильного пересування сипучого матеріалу дозволяє точно та оперативно контролювати вологість сипучих матеріалів, що дозволить оптимізувати технологічний 8 процес обробки та зберігання сипучих матеріалів у часі та в енерговитратах. Приклад конкретного виконання. Спосіб випробуваний на зерносушарці ДСП 50 Карлівського машинобудівного заводу. У вхідній частині зерносушарки були розташовані 4 датчики вологості зерна у вигляді електричних конденсаторів спеціальної конструкції та 4 напівпровідникових датчики температури, і так само по 4 датчики вологості та по 4 датчики температури були розташовані у частині сушки зерна та вихідній частині зерносушарки. При обробці результатів використовували відеоінформаційну систему "Варіант NOTE". Спосіб випробуваний на сипучому матеріалі - зерно кукурудзи. Вологість кукур узи- контролювали в діапазоні від 10 до 48 відсотків вологості. Абсолютна точність контролю вологості при цьому не перевищувала 0,9 відсотка. Джерела інформації: 1. Патент України № 6512 A, GO IN 25/56, бюл. № 8, 1994р. 2. Патент України № 66180 А, 7 GO IN 25/56, бюл. № 4, 2004р. 9 Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун 19845 Підписне 10 Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601