Пристрій для візуалізації невидимих зображень

Реферат: Пристрій для візуалізації невидимих зображень складається з скляної пластини з нанесеним на неї прозорим струмопровідним шаром, зверху якого послідовно нанесені ЕЛ-шар, непрозорий діелектричний і фоторезистивний шари, та верхній прозорий струмопровідний шар, на який нанесено люмінесцентний (ЛМ)-шар. Між ЕЛ-шаром та непрозорим діелектричним шаром розміщено скляну пластину, через яку проходять вварені мікропровідники, розміщені перпендикулярно основі пластини. Зовнішня наруга прикладається до прозорих струмопровідних шарів. UA 79492 U (54) ПРИСТРІЙ ДЛЯ ВІЗУАЛІЗАЦІЇ НЕВИДИМИХ ЗОБРАЖЕНЬ UA 79492 U UA 79492 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до електролюмінесцентних (ЕЛ) джерел світла і може бути використана для візуалізації та підсилення невидимих зображень, створених електромагнітними полями різної частоти. Відомий ЕЛ-перетворювач [1], взятий як аналог. Перетворювач складається з скляної пластини з нанесеним на неї прозорим струмопровідним шаром, зверху якого послідовно нанесені ЕЛ-шар, непрозорий діелектричний і фоторезистивний шари. Зверху фоторезистивного шару нанесено верхній прозорий струмопровідний шар. Прозорі струмопровідні шари являються електродами ЕЛ-перетворювача. Недоліком вказаного перетворювача є мала контрастність перетвореного рентгенівського зображення. Це пов'язано з малою товщиною фоторезистивного шару і, як наслідок, малою густиною збудження цього шару рентгенівськими променями. В результаті контрастність потенціального рельєфу на ЕЛшарі буде малою. Відомий електролюмінісцентний перетворювач рентгенівського зображення [2], взятий як прототип. Даний перетворювач складається з скляної пластини, на яку послідовно нанесені прозорий струмопровідний шар, ЕЛ-шар, та непрозорий діелектричний шар. Зверху діелектричного шару послідовно нанесено фоторезистивний, верхній прозорий струмопровідний та люмінесцентний (ЛМ) шари. Прозорі струмопровідні шари являються електродами ЕЛ-перетворювача рентгенівського зображення. При зміні провідності фоторезистивного шару, під дією падаючого рентгенівського та ЛМ-випромінювання, проходить перерозподіл зовнішньої напруги між фоторезистивним та ЕЛ-шарами. Яскравість свічення ЕЛшару буде пропорційною інтенсивності падаючого рентгенівського випромінювання. В результаті отримаємо перетворене рентгенівське зображення. Недоліком вказаного перетворювача є низька яскравість свічення ЕЛ-шару та недостатньо висока контрастність отриманого зображення. Задача корисної моделі - підвищення контрастності перетворених невидимих зображень. Поставлена задача вирішується тим, що в пристрої для візуалізації невидимих зображень, який складається з скляної пластини з нанесеним на неї прозорим струмопровідним шаром, зверху якого послідовно нанесені ЕЛ-шар, непрозорий діелектричний і фоторезистивний шари, та верхній прозорий струмопровідний шар, на який нанесено люмінесцентний (ЛМ)- шар, між ЕЛшаром та непрозорим діелектричним розміщено скляну пластину, через яку проходять вварені мікропровідники, розміщені перпендикулярно основи пластини, і зовнішня наруга прикладається до прозорих струмопровідних шарів. Крім цього для подальшого підвищення контрастності отриманого зображення, на протилежній до діелектричного шару стороні пластини, над мікропровідниками, виконані заглиблення, в яких розміщено ЕЛ-речовину, покриту прозорим струмопровідним шаром по всій поверхні пластини. При роботі запропонованого пристрою, на прозорі струмопровідні шари подається змінна електрична напруга. Невидиме випромінювання, з певним розподілом інтенсивності, діє одночасно на фоторезистивний та ЛМ-шари. В результаті на зміну провідності фоторезистивного шару одночасно діє невидиме випромінювання та свічення ЛМ-шару. Внаслідок перерозподілу зовнішньої напруги між фоторезистивним та ЕЛ-шарами, відбувається свічення останнього. Отримаємо зображення невидимого випромінювання. Використання скляної пластини з ввареними мікропровідниками, на відміну від прототипу, приводить до підвищення контрастності невидимого випромінювання. Це відбувається тому, що свічення ЕЛшару відбувається тільки над мікропровідниками, в місцях їх виходу з пластини. При розміщенні ЕЛ-шару в заглибленнях над мікропровідниками приведе до ще більшого підвищення контрастності отриманого зображення. При цьому буде відсутнє фонове свічення між сусідніми ЕЛ-елементами пристрою. На фіг. 1, 2 приведено переріз запропонованого пристрою для візуалізації невидимих зображень. Введені наступні позначення: скляна пластина - 1, через яку проходять вварені мікропровідники - 2, з однієї сторони пластини нанесено суцільний ЕЛ- шар - 3 (Фіг. 1), або в заглибленнях над мікропровідниками (Фіг. 2), покритий зверху прозорим струмопровідним шаром - 4. З протилежної сторони скляної пластини - 1 послідовно нанесені непрозорий діелектричний шар - 5, фоторезистивний шар - 6, другий прозорий струмопровідний шар - 7, та ЛМ-шар - 8. Пристрій працює наступним чином: до прозорих струмопровідних шарів - 4, та - 7 прикладається зовнішня напруга. При цьому невидиме випромінювання діє на ЛМ- шар - 8, викликаючи його свічення у видимій області спектра, та на фоторезистивний шар - 6. Зміна провідності фоторезистивного шару - 6 відбувається одночасно під дією свічення ЛМ-шару - 8, та невидимого випромінювання. В результаті відбувається перерозподіл зовнішньої напруги між фоторезистивним шаром - 6 та ЕЛ-шаром 3 (Фіг. 1). Це приводить до того, що яскравість 1 UA 79492 U 5 10 15 20 свічення ЕЛ-шару - 3 буде різною над мікропровідниками - 2, адекватно падаючому фронту невидимого випромінювання. Відбувається візуалізація невидимого зображення. В цьому випадку можуть існувати дифузійні струми між дільницями ЕЛ-шару - 3, та фонове свічення між елементами, що світяться над мікропровідниками. З метою подальшого підвищення контрастності отриманого зображення, ЕЛ-речовина - 3 розміщується в заглибленнях над мікропровідниками (Фіг. 2). При цьому відсутні дифузійні струми між ЕЛ-елементами що світяться, а також фонове свічення між ними. Змінюючи величину прикладеної електричної напруги, можна підсилювати отримане зображення, що покращує експлуатаційні характеристики пристрою. Таким чином, використання скляної пластини з ввареними мікропровідниками, та розміщення ЕЛ-речовини - 3 в заглибленнях над мікропровідниками, приводить до суттєвого підвищення контрастності та якості отриманого зображення. В залежності від природи фоторезистивної речовини - 6, пристрій можна використовувати для візуалізації різних видів невидимого випромінювання. Вказаний пристрій може бути використаний для якісного перетворення невидимого та підсилення отриманого зображення. Все це є суттєвою перевагою в порівнянні з прототипом. Використані джерела: 1. Прикладная электролюминесценция. Под. Ред. Фока М.В. - М.: "Сов. Радио", 1974. - С. 8398. - С. 331-356. 2. Бернацький В.А. Електролюмінесцентний перетворювач рентгенівського зображення. Патент України № 68116 А, від 15.07.2004 р. Бюл. № 7. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 25 30 35 1. Пристрій для візуалізації невидимих зображень, який складається з скляної пластини з нанесеним на неї прозорим струмопровідним шаром, зверху якого послідовно нанесені ЕЛ-шар, непрозорий діелектричний і фоторезистивний шари, та верхній прозорий струмопровідний шар, на який нанесено люмінесцентний (ЛМ)-шар, який відрізняється тим, що між ЕЛ-шаром та непрозорим діелектричним шаром розміщено скляну пластину, через яку проходять вварені мікропровідники, розміщені перпендикулярно основі пластини, і зовнішня наруга прикладається до прозорих струмопровідних шарів. 2. Пристрій для візуалізації невидимих зображень за п. 1, який відрізняється тим, що на протилежній до діелектричного шару стороні пластини, над мікропровідниками виконані заглиблення, в яких розміщено ЕЛ-речовину, покриту прозорим струмопровідним шаром по всій поверхні пластини. 2 UA 79492 U 3 UA 79492 U Комп’ютерна верстка М. Мацело Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 4