Патенти з міткою «структурах»

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Бойко Сергій Іванович

МПК: H01L 21/76

Мітки: прооксидованим, пористим, локальної, структурах, елементів, спосіб, кремнієм, ізоляції, субмікронних, інтегральних, схем, великих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 99230

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Редько Світлана Миколаївна, Швалагін Віталій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович

МПК: G01R 13/00

Мітки: оптичний, структурах, дефектів, точкових, оцінки, основі, епітаксійних, дифузії, коефіцієнтів, метастабільних, спосіб

Формула / Реферат:

Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі GaN, що базується на вимірюванні оптичних спектрів, який відрізняється тим, що вимірюють спектри оптичного пропускання в інтервалі довжин хвиль 330-1100 нм і додатково вимірюють спектри фотолюмінесценції в інтервалі 350-600 нм, після чого контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 40-80 мТл,...

Номер патенту: 89047

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Зоя Костянтинівна, Киселюк Максим Павлович, Власенко Олександр Іванович

МПК: G01R 31/26

Мітки: структурах, світлодіодних, дефектів, експресного, спосіб, критичних, основі, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.

Номер патенту: 105043

Опубліковано: 10.04.2014

Автор: Мюллер Крістоф

МПК: H04L 12/437, H04L 12/40, H04L 12/24 ...

Мітки: структурах, тунельних, мережа, комунікації, безпеку, орієнтованої, комунікаційна, шахтних, здійснення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Комунікаційна мережа в підземній споруді (5), в якій у багатьох вузлових точках (20; А1-А8; В1-В8) встановлені підземні мережеві комп'ютери, які в нормальному режимі з'єднані з комп'ютерним блоком (6) центральної системи, в якій мережеві комп'ютери (20) виконані з можливістю розпізнавання аварійного випадку внаслідок втрати (22; 55, 56, 57) з'єднання з комп'ютерним блоком (6) центральної системи та ініціювання в цьому випадку аварійного...

Номер патенту: 76641

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Киселюк Максим Павлович, Власенко Олександр Іванович, Ляшенко Олег Всеволодович, Велещук Віталій Петрович, Бойко Микола Іванович

МПК: G01R 31/26

Мітки: технологічних, основі, критичних, спосіб, структурах, контролю, дефектів, світлодіодних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...

Номер патенту: 70832

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Полєтаєв Дмитро Олександрович, Арсенічев Сергій Павлович, Шадрін Анатолій Олександрович, Таран Євгеній Павлович

МПК: G03B 41/00, H04N 1/00

Мітки: металодіелектричних, шаруватих, структурах, процесів, електротеплових, пристрій, візуалізації

Формула / Реферат:

Пристрій для візуалізації електротеплових процесів у шаруватих метало-діелектричних структурах, що включає блок реєстрації зображень, який відрізняється тим що додатково містить позамежний хвилевід, оптичну лінзу, метало-діелектричну структуру, хвилевід, джерело електромагнітних хвиль, причому блок реєстрації зображень сполучений з позамежним хвилеводом, позамежний хвилевід з протилежного боку зістикований з оптичною лінзою, оптична лінза...

Номер патенту: 94947

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Шустов Юрій Михайлович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: G01N 13/00, G01N 27/00, G01R 31/265 ...

Мітки: активних, структурах, напівпровідника, метал-діелектрик-напівпровідник, дефектів, виявлення, спосіб, електричної, локальних, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення локальних електрично активних дефектів на поверхні напівпровідника в структурах метал - діелектрик - напівпровідник (МДН), за яким по структурі, до якої прикладена напруга інвертуючої полярності, сканують електронним або фотонним променем з енергією, достатньою для генерації носіїв заряду на поверхні напівпровідника, а реєстрацію електрично активних дефектів проводять по зміні струму, наведеного електронним або фотонним...

Номер патенту: 89675

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Носова Тетяна Віталіївна, Сіпітий Віталій Іванович, Кутовий Ігор Олександрович, П'ятикоп Володимир Олександрович, Аврунін Олег Григорович, Семенець Валерій Васильович

МПК: A61B 5/026, A61B 5/055, A61B 5/103 ...

Мітки: проведенні, головного, спосіб, планування, структурах, глибинних, втручань, нейрохірургічного, мозку

Формула / Реферат:

Спосіб нейрохірургічного планування при проведенні втручань на глибинних структурах головного мозку, який включає формування протоколу обстеження пацієнта, розміщення міток опорних орієнтирів на голові пацієнта, дослідження операційної області за допомогою спіральної комп'ютерної або магніторезонансної томографії, формування віртуальної тривимірної моделі голови за даними томографії, який відрізняється тим, що томографічне дослідження...

Номер патенту: 67034

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Плаксін Сергій Вікторович, Бровкін Юрій Миколайович

МПК: G01R 29/12

Мітки: пристрій, структурах, електричного, напруженості, визначення, розподілу, поля, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення розподілу напруженості електричного поля в напівпровідникових структурах, що містить генератор прямокутних імпульсів, до вихідних клем якого підключена досліджувана напівпровідникова структура, розташована на координатному столику, ємнісний зонд, підсилювач перетворених сигналів зонда і двокоординатний реєстратор, який відрізняється тим, що в нього додатково введені блок диференціювання, вхід якого з'єднаний з ємнісним...

Номер патенту: 13712

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Давиденко Ігор Святославович, Шендерюк Олександр Петрович

МПК: A61B 10/06

Мітки: плаценти, вимірювання, структурах, спосіб, білків, модифікації, окиснювальної

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання окиснювальної модифікації білків у структурах плаценти шляхом фарбування гістологічного препарату специфічними барвниками та візуальною оцінкою білкових груп, який відрізняється тим, що фарбування гістологічного препарату проводять бромфеноловим синім за методикою Мікель-Кальво, а візуальну оцінку білкових груп проводять комп’ютерною мікроспектрометрією за оцінкою кольору RGB по співвідношенню величин зеленого та синього...

Номер патенту: 45425

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Федутенко Анатолій Миколайович, Юрченко Володимир Пилипович

МПК: B65G 5/00

Мітки: газосховища, спосіб, створення, підземного, малоамплітудних, водоносних, структурах

Формула / Реферат:

Спосіб створення підземного газосховища в малоамплітудних водоносних структурах або обводнених газоносних пластах, який включає буріння експлуатаційних свердловин, облаштування підземного сховища газу, закачування необхідних об'ємів газу, який відрізняється тим, що на площі газосховища додатково бурять нагнітальні свердловини, які розподіляють на ділянках можливого витікання газу по покрівлі пласта-колектора і які розміщують нижче рівня...

Номер патенту: 36712

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Марцинкевич Олександр Вікторович, Марцинкевич Олександр Олександрович

МПК: G01T 1/24

Мітки: тканин, визначення, випромінювання, джерел, мозку, головного, радіоактивного, структурах, спосіб

Текст:

...комплексу апаратури. Дослідний зразок структур медіобазальних тканин головного мозку масою приблизно 0,4-0,6 кг розміщується у спеціальній радіаційно-захисній камері, виготовленій з свинцевих кілець, на торцевій поверхні корпусу холодопроводу, в конструкції якого розміщено НПДВ. Внутрішня поверхня захисної камери облицьована міддю для зниження вкладу характеристичного випромінювання свинцю. У складі гама-спектрометричного комплексу...

Номер патенту: 34855

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Кутовий Ігор Олександрович, П'ятикоп Володимир Олександрович, Масловський Сергій Юрьович, Аврунін Олег Григорович, Сіпітий Віталій Іванович, Семенець Валерій Васильович

МПК: A61B 19/00

Мітки: апарат, структурах, мозку, стереотаксичних, глибинних, головного, операцій

Формула / Реферат:

Апарат для стереотаксичних операцій на гли­бинних структурах головного мозку, який містить в собі стереотаксичний маніпулятор, що з'єднай з хі­рургічним інструментом, систему навігації, з'єдна­ну з першим входом ЕОМ, другий вхід якої зв'язан з системою контроля за станом пацієнта, що відрізняється тим, що стереотаксичний маніпулятор містить інтерфейс, перший вихід якого через бу­ферний регістр з'єднаний з пристроями управління електричними...

Номер патенту: 16234

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Федутенко Анатолій Миколайович, Савків Богдан Павлович, Лебедев Генадій Дмитрович, Стеренчук Василь Петрович, Григиль Михайло Андрійович

МПК: B65G 5/00

Мітки: утворення, малоамплітудних, водоносного, газосховища, пласта, спосіб, структурах, експлуатації

Формула / Реферат:

Способ создания и эксплуатации газохранилища в малоамплитудных структурах водоносного пласта, включающий сооружение эксплуатационных и нагнетательных скважин, закачку газа в газоносную часть пласта, отбор его через эксплуатационные скважины и предотвращение растекания газа путем поддержания равенства давлений в газоносной и водоносной частях пласта, отличающийся тем, что, с целью снижения затрат на создание и эксплуатацию газохранилища путем...