Фреїк Дмитро Михайлович

Номер патенту: 114890

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Халавка Юрій Богданович, Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Михайлович, Никируй Любомир Іванович

МПК: H01L 35/32

Мітки: отримання, провідними, термоелектричного, композита, каналами, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного композита із провідними каналами, який полягає у тому, що синтезують матеріал сполуки із вихідних елементів, потім його подрібнюють і компактують із подальшим формуванням композита із різними розмірами зерен, який відрізняється тим, що перед компактуванням композита із різними розмірами зерен, відібрані зерна перемішують із наперед підготовленими наночастинками для формування металічних каналів із...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Межиловська Любов Йосипівна, Яворський Ростислав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01G 30/00, C01B 19/00, B82B 3/00 ...

Мітки: спосіб, snte:sb, термо-е.р.с, слюди, наноструктур, отримання, високою

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Номер патенту: 102227

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00, C01B 19/00, C01G 21/00 ...

Мітки: нанокомпозиту, отримання, спосіб, pbte:zno, незначною, теплопровідністю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, термоелектричною, слюди, отримання, snte:sb, питомою, спосіб, високою, потужністю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: p-типу, ситалових, отримання, підкладках, значною, спосіб, snte:sb, термо-е.р.с, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, слюди, потужністю, питомою, високою, термоелектричною, snte:sb, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, структур, покращеною, спосіб, потужністю, тонкоплівкових, провідності, термоелектричною, p-типу, snte:bi, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, спосіб, p-snte:bi, отримання, ситалових, підкладках, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00

Мітки: плівок, тонких, покращення, легованого, бісмутом, p-типу, спосіб, провідності, термоелектричних, основі, властивостей

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Номер патенту: 97315

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Арсенюк Інна Олександрівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: p-snte:bi, основі, термоелектричного, спосіб, підкладках, тонкоплівкового, отримання, матеріалу, слюди

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровування  і температурі осадження

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричних, спосіб, телуриду, властивостей, наноструктурованого, станум, покращення, р-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Номер патенту: 93184

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, отримання, підкладках, наноструктурованого, телуриду, станум, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Тв, осаджують пару на підкладку при температурі Тп до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Тв=(870±10) К, температура...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-рbте:ві, ситалових, конденсату, термоелектричного, підкладках, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Номер патенту: 84495

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Криницький Олександр Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, n-pbte:bi, отримання, термоелектричних, легованих, спосіб, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Никируй Любомир Іванович, Чобанюк Володимир Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Володимирович, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: H01L 21/20, C30B 11/02, C30B 11/00 ...

Мітки: отримання, матеріалу, квантово-розмірного, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Номер патенту: 80800

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 21/324, C01B 19/00, C01G 21/00 ...

Мітки: n-pbte:sb, спосіб, стабільного, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), телур (Те) та сурму високого класу чистоти (99,999%), взяті у відповідних вагових співвідношеннях, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 80799

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Криськов Цезарій Андрійович, Люба тетяна Сергіївна

МПК: C22C 43/00

Мітки: термоелектричного, отримання, легованого, плюмбум, спосіб, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 80521

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01F 41/00, H01L 21/203

Мітки: пристрій, отримання, тонких, плівок

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання тонких плівок, що містить мікропечі, підкладки, випарник із наважкою, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що для отримання конденсату використовують систему поворотних мікропечей з підкладками на радіальних кронштейнах і заслінку із асиметричним нецентральним отвором, розміщеним над випарником.

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Криницький Олександр Степанович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: ефективного, n-pbte:sb, отримання, спосіб, матеріалу, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Люба тетяна Сергіївна, Рачковський Олег Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Криськов Цезарій Андрійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: температури, розплаву, пристрій, вирощування, кристалів, змінним, області, кристалізації, градієнтом

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Номер патенту: 77224

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 21/00

Мітки: пристрій, структур, отримання, двошарових

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин.

Номер патенту: 72229

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Володимирович, Терлецький Андрій Іванович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: G01N 25/18, G01N 27/18

Мітки: нагрівника, спосіб, потужності, комірки, електричної, вимірювання, параметрів, термоелектричних, стабілізації

Формула / Реферат:

1. Спосіб стабілізації електричної потужності нагрівника комірки для вимірювання термоелектричних параметрів твердих тіл, у якому використовується комірка, що містить два нагрівники, зовнішній і внутрішній, хромелеві та алюмелеві термопари як вимірювальні провідники, який відрізняється тим, що для живлення внутрішнього нагрівника використовується генератор стабільного струму.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що калібрований...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращеними, термоелектричними, n-pbte:bi, напівпровідникових, отримання, ситалових, спосіб, підкладках, наноструктур, властивостями

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 70485

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна, Ткачук Андрій Іванович

МПК: C23C 14/04

Мітки: спосіб, виготовлення, напилення, три-омега, маски, параметрів, омічних, термоелектричних, контактів, методі, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення маски для напилення омічних контактів у три-омега (3w) методі вимірювання термоелектричних параметрів, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується у якості нагрівача, який відрізняється тим, що додатково виготовляють з пластинки із інструментальної сталі типу Р9 маску з чотирма квадратними отворами, через яку на металеву смужку-нагрівач наносять срібні омічні...

Номер патенту: 70132

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: G01R 27/08

Мітки: вимірюванні, електричного, контакту, теплопровідності, покращення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електричного контакту при вимірюванні теплопровідності, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується як нагрівач, який відрізняється тим, що на металеву смужку-нагрівач наносять додатково срібні омічні контакти осадженням з парової фази у вакуумі.

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: властивостями, отримання, n-рbте:ві, спосіб, основі, наноструктур, покращеними, термоелектричними, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Номер патенту: 67492

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Борик Віктор Васильович, Терлецький Андрій Іванович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: G01K 7/00

Мітки: сигналів, спосіб, комутації, електричних, параметрів, термоелектричних, вимірюванні

Формула / Реферат:

Спосіб комутації електричних сигналів при вимірюванні термоелектричних параметрів, у якому використовують комірку з двома нагрівниками, хромелеві та алюмелеві термопари, генератор стабільного струму, який відрізняється тим, що комутацію між хромелевими та алюмелевими термопарами здійснюють за допомогою восьмипозиційного перемикача.

Номер патенту: 65674

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-pbte:bi, термоелектричного, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, легованих, кристалів, спосіб, провідності, pbte:co, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 65225

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Запухляк Руслан Ігорович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Терлецький Андрій Іванович

МПК: G01N 25/18, G01N 27/18

Мітки: вимірювання, параметрів, термоелектричних, комірка

Формула / Реферат:

Комірка для вимірювання термоелектричних параметрів твердих тіл, яка містить зовнішній (основний) і внутрішній (додатковий) нагрівники, термопари і вимірювальні провідники, яка відрізняється тим, що для вимірювання термоелектричних параметрів використовуються одні і ті ж хромель-алюмелеві термопари.

Номер патенту: 63536

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Борик Віктор Васильович, Карпаш Максим Олегович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, легованого, pbte:bi, спосіб, сплаву, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву РbТе:Ві n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 62087

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Харун Лідія Тарасівна, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Ігор Костянтинович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, наноструктурованого, станум, отримання, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Дзундза Богдан Степанович, Соколов Олександр Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, напівпровідникових, багатошарових, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Номер патенту: 60221

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Карпаш Максим Олегович, Галущак Мар'ян Олексійович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричних, спосіб, наноструктур, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі  який...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Гургула Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Фреїк Наталія Дмитрівна, Потяк Володимир Юрійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: провідності, p-типу, спосіб, znse:in, отримання, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 57333

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзумедзей Роман Олексійович, Лисюк Юрій Володимирович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: H01L 21/02

Мітки: отримання, твердого, p-pbsnte, розчину, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину p-PbSnTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 57049

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C22C 37/00

Мітки: нікелем, отримання, легованого, спосіб, n-pbte:ni, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого нікелем термоелектричного n-PbTe: Ni, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 57012

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович, Терлецький Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: G01K 7/00, G01K 5/00

Мітки: спосіб, параметрів, вимірювання, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів, у якому використовують два циліндричні зразки одного типу провідності з ідентичними розмірами і властивостями, нижні основи яких приєднують до термостатичної плити, а верхні частини з'єднують комутуючою пластиною, який відрізняється тим, що вимірювальну комірку поміщають у загальну фонову піч, яку спочатку приєднують до кріогенної системи, а потім від'єднують...

Номер патенту: 56813

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Карпаш Максим Олегович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 28/00, C22C 11/00

Мітки: спосіб, p-типу, отримання, pbsnte, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сплаву PbSnTe р-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 56812

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C22C 11/00

Мітки: легованого, сплаву, спосіб, n-типу, отримання, pbte:ni

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву PbTe:Ni n-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...