Патенти з міткою «p-pbte»
Спосіб синтезу і отримання термоелектричного p-pbte із надлишком телуру
Номер патенту: 54641
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович
МПК: C30B 11/00
Мітки: p-pbte, телуру, синтезу, спосіб, термоелектричного, отримання, надлишком
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу і отримання термоелектричного р-РbТе із надлишком телуру, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ -...
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-pbte
Номер патенту: 50087
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Шевчук Мирослава Олегівна, Дзумедзей Роман Олексійович
МПК: C30B 11/00
Мітки: матеріалу, спосіб, термоелектричного, p-pbte, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-РbТе, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Спосіб отримання тонких плівок p-pbte із високою анізотропією термо-е.р.с.
Номер патенту: 56447
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Калитчук Іван Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Рувінський Борис Маркович, Довгий Олег Ярославович
МПК: C30B 11/02
Мітки: тонких, спосіб, плівок, p-pbte, високою, термо-е.р.с, отримання, анізотропією
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання тонких плівок р-РbТе з високою анізотропією термо-е.р.с. методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) ВаF2 , що здійснюють шляхом вибору вихідної речовини РbТе, нагріву підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагрівання стінок камери до Тс, при парціальному тиску пари телуру РTe2, який відрізняється тим, що температура випарника Тв = 820 К, стінок реактора Тс = 850 К, підкладок - Тп =...