Патенти з міткою «термо-е.р.с»

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ростислав Святославович

МПК: B82B 3/00, C01G 30/00, C01B 19/00 ...

Мітки: отримання, snte:sb, спосіб, слюди, високою, наноструктур, термо-е.р.с

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, спосіб, ситалових, snte:sb, значною, отримання, p-типу, термо-е.р.с, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Пристрій вимірювання термо-ерс різання

Завантаження...

Номер патенту: 75921

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Держук Володимир Андронович, Омельченко Ігор Валерійович

МПК: B23B 25/00

Мітки: термо-е.р.с, різання, пристрій, вимірювання

Формула / Реферат:

Пристрій вимірювання термо-ЕРС різання, який містить твердосплавну різальну пластину, різцетримач і реєструючий прилад, який відрізняється тим, що він додатково містить фільтр, з'єднаний до реєструючого приладу та підсилювача, який в свою чергу підключений до аналогово-цифрового перетворювача для надходження інформації до ПК.

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3531

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Лях Наталія Степанівна, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Матвієнко Сергій Миколайович

МПК: G01N 25/00

Мітки: визначення, коефіцієнта, спосіб, ниткоподібних, термо-е.р.с, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів, що включає виготовлення чотирьох точкових контактів до ниткоподібного кристала, створення градієнта температури між двома контактами пропусканням стабілізованого струму розігріву, вимірювання термо-е.р.с., визначення температури гарячого і холодного кінців ниткоподібного кристала та визначення коефіцієнта термо-е.р.с. як відношення термо-е.р.с. до градієнта температури, який...

Спосіб отримання тонких плівок p-pbte із високою анізотропією термо-е.р.с.

Завантаження...

Номер патенту: 56447

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Рувінський Борис Маркович, Калитчук Іван Васильович, Довгий Олег Ярославович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, тонких, отримання, анізотропією, термо-е.р.с, плівок, p-pbte, високою

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання тонких плівок р-РbТе з високою анізотропією термо-е.р.с. методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) ВаF2 , що здійснюють шляхом вибору вихідної речовини РbТе, нагріву підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагрівання стінок камери до Тс, при парціальному тиску пари телуру РTe2, який відрізняється тим, що температура випарника Тв = 820 К, стінок реактора Тс = 850 К, підкладок - Тп =...