Патенти з міткою «cdte:in»
Спосіб отримання монокристалів cdte:in n- і p-типу провідності
Номер патенту: 61299
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: p-типу, cdte:in, спосіб, провідності, монокристалів, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...