Спосіб отримання монокристалів cdte:in n- і p-типу провідності

1 Спосіб отримання монокристалів CdTe In nі р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур марок ос ч , взяті у співвідношенні, що відповідають стехіометричному складу сполуки CdTe і ІНДІЙ Нагрів у першій зоні проводять при температурі 1120°С, температура другої зони дорівнює 1010°С, швидкість росту монокристалів складає 1 мм/год, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюва16 18 3 ли у межах N|n = 1 0 - 1 0 с м " Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, оптоелектроніці Монокристали телуриду кадмію широко використовуються як детектори іонізуючого випромінювання, активні елементи пристроїв нелінійної оптики, підкладки для CdZnTe та CdHgTe (C Scheiber, G С Giakos Medical applications of CdTe and CdZnTe detectors// Nuclear Instruments and Methods A -2001 -458(1-2) - pp 12-25) Синтезовані сполуки вирощують методом Бріджмена-Стокбаргера при подальшому двотемпературному відпалі (Физика и химия соединений A N B V| -М Мир, 1970) Описані способи не забезпечують отримання матеріалу із наперед заданими властивостями Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання монокристалів A N B VI , який полягає втому, що вихідну речовину, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні, і переміщають у другу зону для здійснення кристалізації, після чого охолоджують до кімнатної температури (Полупроводниковые соединения, их получение и свойства - М Наука, 1967 - 176с) Однак цей метод, через недостатню керованість процесу, не дозволяє отримати напівпровідниковий матеріал з наперед заданими властивостями Завданням винаходу є створити спосіб одержання монокристалів CdTe In, в якому можна отримувати матеріал з наперед заданим типом провідності Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання монокристалів A'B V I , який полягає в тому, що вихідну сполуку стехіометричного складу, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні, і переміщають у другу зону для здійснення кристалізації, після чого охолоджують до кімнатної температури згідно винаходу як вихідну речовину використовують сполуку CdTe, леговану ІНДІЄМ у межах N|n=1016-1018CM , нагрів у першій зоні проводять при температурі 1393К, а у другій - 1283К, швидкість росту монокристалів складає 1 мм/год При концентраціях ІНДІЮ Nin2-1017CM 3 - тільки матеріал n-типу провідності 2 Спосіб отримання монокристалів CdTe In п- і ртипу по п 1 , який відрізняється тим, що при концентраціях ІНДІЮ N| n