Патенти з міткою «провідності»

Номер патенту: 123029

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Кукла Олександр Леонідович, Матвієнко Людмила Михайлівна, Мацас Євген Петрович, Мамикін Андрій Васильович, Майстренко Анатолій Степанович

МПК: G01N 27/30, G01N 27/48, G01N 27/06 ...

Мітки: кута, рідин, діелектричної, питомої, провідності, електроізоляційних, відносної, діелектричних, проникності, спосіб, тангенса, втрат, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення відносної діелектричної проникності, питомої провідності та тангенса кута діелектричних втрат ізоляційних рідин, при якому прикладають до електродів конденсаторну електрохімічну комірку, заповнену досліджуваною електроізоляційною рідиною, змінного електричного струму в області частот 0.1-10 Гц з подальшим визначенням значень опору R та ємності С комірки та розрахунком з них шуканих електрофізичних характеристик, який...

Номер патенту: 116097

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Гранот Девід, Мошеліон Меначем, Келлі Гілор

МПК: A01H 5/02, A01H 5/10, A01H 5/12 ...

Мітки: рослини, провідності, устячка, модуляції, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб регулювання провідності устячка рослини, який включає модуляцію в рослині рівня й/або активності гексокінази специфічним стосовно замикаючої клітини чином, причому зазначена гексокіназа являє собою гексокіназу типу В, здатну до регулювання провідності устячка, із регулюванням тим самим провідності рослини, при якому, коли зазначена модуляція являє собою підвищувальну регуляцію, зазначену підвищувальну регуляцію забезпечують...

Номер патенту: 111557

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Козакевич Олена Борисівна, Соловйова Галина Олексіївна, Зюзіна Лариса Степанівна, Артьомова Наталія Сергіївна, Ковальова Олена Михайлівна, Похилько Валерій Іванович

МПК: A61B 5/0402, A61B 5/0476, A61B 5/0478 ...

Мітки: диференціальної, спосіб, крововиливами, серцевого, народжених, передчасної, дітей, ранньому, періоди, неонатальному, ритму, внутрішньошлуночковими, діагностики, провідності, порушень

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики порушень серцевого ритму та провідності у передчасно народжених дітей з внутрішньошлуночковими крововиливами в ранньому неонатальному періоді, що включає вивчення біоелектричної активності серця й головного мозку на основі моніторингу добової електрокардіограми (ЕКГ) та амплітудно-інтегральної електроенцефалограми (аЕЕГ), аналізу взаємовідношень між порушеннями серцевого ритму (провідності) й показниками фонової...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: нього, нематичного, спосіб, підвищення, наночастинок, 6снвт, кристалу, електричної, шляхом, внесення, провідника, суперіонного, cu6ps5i, рідкого, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 110429

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Куриленко Юлія Миколаївна, Гончаренко Людмила Андріївна, Демченко Валерій Леонідович, Унрод Володимир Ізяславович

МПК: C08L 63/00, B01D 71/46

Мітки: провідності, епоксидних, підвищення, електричної, композитів, питомої, спосіб, об'ємної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення питомої об'ємної електричної провідності епоксидних композитів, при якому наповнюють епоксидні смоли наповнювачами - сумішами поліаніліну із оксидом металу Fе2О3 або Аl2О3 і перемішують за кімнатної температури протягом 1 год., додають 18 об. % триетилентетраміну і перемішують протягом 0,5 год., дегазують суміші за залишкового тиску 1×105 Па протягом 0,5 год., який відрізняється тим, що композит отверджують під...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Пал Юрій Олександрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: нематичного, провідника, шляхом, кристалу, електричної, спосіб, нього, провідності, підвищення, наночастинок, суперіонного, рідкого, внесення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Копчанський Петер, Томашовічова Наталія, Завісова Власта, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: іонної, рідкого, нематичного, провідності, композита, основі, спосіб, кристалу, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, тонкоплівкових, спосіб, провідності, snte:bi, отримання, p-типу, термоелектричною, напівпровідникових, структур, покращеною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Дзундза Богдан Степанович, Матківський Остап Миколайович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: тонких, спосіб, термоелектричних, провідності, легованого, p-типу, плівок, покращення, властивостей, бісмутом, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/30

Мітки: термоелектричні, матеріалів, провідності, наноструктурованих, гілки, p-типу, bi-sb-te

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Ткачук Андрій Іванович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06, H01L 21/04 ...

Мітки: р-типу, провідності, контакт, омічний, полікристалічних, гетероструктурний, телуриду, кадмію, шарів

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/00

Мітки: нанопорошків, bi2te3, термоелектричні, гілки, n-типу, провідності

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Номер патенту: 89943

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Конюшок Сергій Олександрович, Гуніна Лариса Михайлівна, Данцкер Ганна Борисівна

МПК: A61K 36/00, A61K 31/00

Мітки: спосіб, спортсменів, імпульсу, прискорення, нервово-м'язового, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб прискорення провідності нервово-м'язового імпульсу в спортсменів, що включає застосування фармакологічного препарату, який відрізняється тим, що спортсмен протягом 21 дня щоденно на фоні стандартних тренувальних навантажень застосовує настоянку плодів лимоннику китайського по 25 крапель двічі на добу.

Номер патенту: 104601

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Ван Гур Фредрік, Шет Урві, Гротенхейс Петер Д.Й., Феннінг Лев Т.Д., Нума Мехді Мішель Джамель, Бінч Хейлі, Харлі Деніс, Сіліна Аліна, Янг Сяоцин, Ботфілд Мартін

МПК: A61K 31/439, A61P 11/00, C07D 451/02 ...

Мітки: трансмембранної, регулятора, модулятори, провідності, муковісцидозі

Формула / Реферат:

            1. Сполука формули (І) (І)або її фармацевтично прийнятні солі, де            кільце А вибирають з, ,  або

Номер патенту: 104210

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Карандаков Генадій Васильович, Кривенко Віктор Іванович

МПК: G06G 7/122, H03H 5/00

Мітки: пристрій, моделях, сумарної, провідності, вузла, нуль, квазіаналогових, перетворення

Формула / Реферат:

Пристрій для перетворення на нуль сумарної провідності вузла у квазіаналогових моделях, що містить гілку із резистором, провідність якого дорівнює сумі провідностей всіх інших гілок вузла, який відрізняється тим, що паралельно зазначеному резистору включено джерело струму, кероване струмом резистора із коефіцієнтом передачі , причому в контурі між точками і-0 напрямки...

Номер патенту: 84145

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Невзлін Борис Ісакович, Джасим Мохамед Джасим, Половинка Дмитро Васильович, Сирцов Анатолій Іванович, Дяченко Юрій Юрійович, Бухтіяров Ігор Юрійович

МПК: G01R 27/02

Мітки: пристрій, маслі, провідності, вимірювання, вологи, активної, кількості, визначення, низькочастотний, трансформаторному, ємкісної

Формула / Реферат:

Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить низькочастотний генератор, стабільне джерело напруги, аналогові електронні перемикачі та резистори, через які відбувається розряд та заряд ємкості вимірювального двополюсника, центральний електрод якого під'єднано до аналого-цифрового перетворювача, цифровий вихід якого під'єднано до мікроконтролера,...

Номер патенту: 80989

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Малиновський Євгеній Вікторович, Клепко Валерій Володимирович, Колупаєв Борис Борисович, Лебедев Євген Вікторович

МПК: H03K 7/00, H01L 31/00

Мітки: бета-променями, модуляції, систем, провідності, спосіб, полімерних

Формула / Реферат:

Спосіб модуляції провідності полімерних систем бета променями, який полягає в модуляції провідності під дією поля, який відрізняється тим, що як модулююче тіло використовують полімер наповнений наночастинками металу, а модуляцію здійснюють під дією - променів.

Номер патенту: 78485

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Пясецькі Міхал, Капустяник Володимир Богданович, Лубочкова Галина Олександрівна, Крегель Ольга Петрівна, Кітик Іван, Турко Борис Ігорович

МПК: C01G 9/00

Мітки: матеріалу, спосіб, провідності, наноструктурованого, р-типом, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого матеріалу ZnO з р-типом провідності, який включає вирощування наноструктури на шарі зародків ZnO в електрохімічній комірці з електродами з розчину реагентів, де до робочого електрода прикладається напруга, який відрізняється тим, що як робочий електрод-катод використовують сіталову підкладку, а як другий електрод-анод - пластину графіту, причому нанострижні осаджують на попередньо нанесений на підкладку...

Номер патенту: 69311

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Шелудько Євгеній Валентинович, Богомолов Юрій Іванович, Полункін Євген Васильович, Зубенко Степан Олександрович

МПК: G01N 27/00, H01B 1/00

Мітки: визначення, спосіб, провідності, мембран, протонної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення протонної провідності мембран, який відрізняється тим, що включає використання двокамерної електрохімічної комірки, камери якої розділені мембраною, та насипаного електропровідного порошку, залитого водним розчином електроліту, в порошок введені графітові електроди, а до електродів підведена постійна електрична напруга, де при здійсненні способу камери нахиляють під таким кутом до вертикальної площини, який забезпечує...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Бойчук Володимира Михайлівна, Туровська Лілія Вадимівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, отримання, провідності, спосіб, кристалів, легованих, pbte:co

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Морозова Дар'я Василівна, Кузнєцов Микола Іванович, Половинка Дмитро Васильович, Невзлін Борис Ісакович

МПК: G01R 27/02

Мітки: маслі, кількості, вимірювання, провідності, активної, визначення, пристрій, вологи, трансформаторному, ємкісної

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить генератор, конденсатори, фільтр, вимірювальне та еталонне плечі, діоди, стабільне джерело напруги, ланцюги із еталонного та вимірювального двополюсника, паралельно кожному плечу підключено діод, при цьому виводи діодів однієї полярності підключені до загальної точки з'єднання вимірювальних та еталонних плеч, який...

Номер патенту: 60056

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Філонова Тетяна Олександрівна, Лупальцова Світлана Юхимівна, Ананьєва Наталія Володимирівна, Мамалуй Наталія Іванівна, Апанасенко Оксана Миколаївна, Кісельова Людмила Петрівна, Савво Володимир Михайлович

МПК: A61B 5/02, G01N 33/48

Мітки: можливого, перебігу, провідності, дисплазією, дітей, порушень, діагностики, серцевого, системною, тканини, спосіб, ритму, сполучної

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики можливого перебігу порушень серцевого ритму та провідності у дітей із системною дисплазією сполучної тканини, що включає визначення клінічних ознак, параметрів вегетативного гомеостазу, ехокардіографічних критеріїв, показників ритмокардіографії та варіабельності ритму серця, який відрізняється тим, що додатково визначають біохімічні маркери обміну сполучної тканини, кожному показнику надають прогностичний коефіцієнт,...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна, Фреїк Наталія Дмитрівна, Потяк Володимир Юрійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, p-типу, кристалів, znse:in, провідності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 54779

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Шигимага Антон Вікторович, Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 27/06

Мітки: визначення, розчинах, спосіб, провідності, власної, тварин, клітин

Формула / Реферат:

Спосіб визначення власної провідності клітин тварин у розчинах, що включає подачу на занурені у розчин електроди імпульсів напруги зростаючої амплітуди, вимірювання електричних параметрів об'єкта для обчислення його провідності, побудову графіка залежності провідності від напруженості поля, який відрізняється тим, що послідовно і незалежно одна від одної визначають провідність клітини у розчині і провідність розчину між тими ж електродами,...

Номер патенту: 92395

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Калашник Михайло Васильович, Журавльов Анатолій Семенович, Ященко Марина Іванівна, Семенець Валерій Васильович, Аврунін Олег Григорович

МПК: A61B 5/08, A61B 5/087

Мітки: провідності, лікуванні, планування, порушень, дихальних, верхніх, оперативних, спосіб, втручань, шляхів, повітряної

Формула / Реферат:

Спосіб планування оперативних втручань при лікуванні порушень повітряної провідності верхніх дихальних шляхів, який складається з проведення ринометричних досліджень, виконання ендоскопічного обстеження порожнини носа, проведення функціональних досліджень верхніх дихальних шляхів, виконання інтроскопічного обстеження стану носових пазух, який відрізняється тим, що вводяться процедури формування просторової сегментованої лофтінгової моделі...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, легованих, спосіб, монокристалів, отримання, провідності, cdte:i

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Номер патенту: 43620

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Антипов Микола Васильович, Антіпов Василь Миколайович, Вакуленко Іван Петрович

МПК: G09B 23/00

Мітки: провідності, порушення, моделювання, спосіб, атріовентрикулярної

Формула / Реферат:

Спосіб моделювання порушення атріовентрикулярної провідності, що включає оклюзію атріовентрикулярної вузлової артерії, який відрізняється тим, що додатково виконують оклюзію першої перетинкової артерії передньої міжшлуночкової гілки лівої коронарної артерії.

Номер патенту: 35442

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучовський Іван Аполінарієвич

МПК: H01L 35/34

Мітки: деталей, провідності, процес, заготовок, термоелектричних, типу, визначення, злитків

Формула / Реферат:

1. Процес визначення типу провідності термоелектричних об'єктів, який характеризується тим, що безконтактним методом при вибраних позитивних та негативних напрямках уніполярного струму індуктивного датчика кільцевого типу вимірюють їх електропровідність та далі, по її максимальному значенню, визначають тип провідності.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що р-тип провідності відповідає максимальним значенням електропровідності...

Номер патенту: 32572

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Нічий Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: спосіб, питомої, напівпровідникових, матеріалів, провідності, однорідних, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів на зразках правильної геометричної форми двозондовим методом, який відрізняється тим, що через зразок пропускають лінійнозмінний струм і значення питомої провідності визначають як величину, яка пропорційна відношенню приросту струму до приросту напруги між вимірювальними зондами на лінійній ділянці лінійнозмінного струму, за один і той же проміжок...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: n-типу, свинцю, отримання, телуриду, провідності, сплавів, спосіб, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Номер патенту: 30272

Опубліковано: 25.02.2008

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 33/483

Мітки: параметрів, спосіб, мембрани, кривизною, клітині, визначення, електропробою, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб визначення параметрів електропробою мембрани клітини за кривизною провідності, що включає розміщення досліджуваної клітини в середовищі між електродами, подачу на них зростаючої імпульсної напруги, визначення залежності провідності клітини від напруженості поля і параметрів електропробою за її аналітичною апроксимацією, який відрізняється тим, що клітину злегка підтискають електродами, а апроксимацію провідності виконують поліномом...

Номер патенту: 82006

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Кокозей Володимир Миколайович, Мніх Надія Володимирівна, Нізельський Юрій Миколайович, Нестеренко Гелена Мечиславівна, Грищук Олег Іванович, Колупаєв Борис Сергійович, Бувайло Олена Анатоліївна, Нестеров Дмитро Сергійович, Козак Наталія Віталівна

МПК: C08K 3/10, C08G 18/10, C08G 18/22 ...

Мітки: поліуретанів, напівпровідниковим, рівнем, провідності, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності шляхом введення сполук металів в органічних розчинниках до реакційної суміші поліуретанового форполімеру на основі поліолу та діізоціанату, який відрізняється тим, що як сполуку металу використовують бі-  або триметалічні полігетероядерні координаційні комплекси перехідних металів, попередньо готують 0,2-2,0 % мас. розчин цих сполук з наступним введенням його до...

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/12

Мітки: провідності, основі, матеріалів, pb-te, гілки, p-типів, термоелектричні, функціонально-градієнтних

Формула / Реферат:

1. Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі Рb-Те для генераторних термоелементів, які відрізняються тим, що розподіл легуючих домішок вздовж висоти гілок створюється таким чином, що концентрація носіїв струму  змінюється від  см-3 біля холодної до...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: кристалів, p-типу, отримання, провідності, pbte:bi, легованих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Номер патенту: 78595

Опубліковано: 10.04.2007

Автор: Кірющенко Ігор Георгійович

МПК: G01N 27/22, G01N 27/02, G01R 27/22 ...

Мітки: електричної, цифровий, рідин, провідності, перетворювач

Формула / Реферат:

Цифровий перетворювач електричної провідності рідин, що містить генератор гармонічної напруги, вихід якого підключений до живильної обмотки трансформаторного первинного вимірювального перетворювача (ПВП), вихідна обмотка якого підключена до входу вторинного вимірювального перетворювача, що містить послідовно з’єднані узгоджувальний блок, фазообертач, синхронний детектор, інтегратор і модулятор струму, який містить пороговий пристрій, вхід...

Номер патенту: 20187

Опубліковано: 15.01.2007

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 27/06

Мітки: рідких, спосіб, середовищ, визначення, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб визначення провідності рідких середовищ, що включає подачу на електроди, занурені в середовище, прямокутних імпульсів напруги, вимірювання їх амплітуди, струму через середовище і розрахунок провідності, який відрізняється тим, що імпульси подають із зростаючою від нуля за заданим законом амплітудою, обчислюють провідність середовища при кожному значенні амплітуди імпульсу, будують графік залежності провідності від напруженості поля між...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:mn, спосіб, легованого, отримання, провідності, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, провідності, меркурію, монокристалів, p-типу, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Борик Віктор Васильович, Дмитрів Анжела Миколаївна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, меркурію, спосіб, p-типу, монокристалів, провідності, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, n-типу, провідності, спосіб, монокристалів, телуриду, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...