Патенти з міткою «p-типу»

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, спосіб, наноструктур, p-типу, термо-е.р.с, snte:sb, отримання, ситалових, значною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Никируй Любомир Іванович, Дзундза Богдан Степанович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, напівпровідникових, snte:bi, потужністю, p-типу, структур, покращеною, тонкоплівкових, термоелектричною, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Матківський Остап Миколайович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращення, спосіб, p-типу, легованого, термоелектричних, бісмутом, властивостей, провідності, тонких, основі, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/30

Мітки: матеріалів, наноструктурованих, провідності, термоелектричні, гілки, p-типу, bi-sb-te

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна, Фреїк Наталія Дмитрівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: znse:in, отримання, кристалів, p-типу, провідності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 56813

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Карпаш Максим Олегович

МПК: C22C 28/00, C22C 11/00

Мітки: сплаву, спосіб, p-типу, pbsnte, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сплаву PbSnTe р-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 56631

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, термоелектричного, самолегованого, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур - Т-ВЧ беруть у...

Номер патенту: 50157

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, отримання, розчинів, твердих, термоелектричного, матеріалу, pb1-xsnxte, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі твердих розчинів Pb1-xSnxTe, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, олово і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 40444

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: олова, отримання, спосіб, телуриду, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець, вісмут, телур і...

Номер патенту: 39125

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Данилишин Мирослава Олегівна, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: сплаву, отримання, спосіб, термоелектричного, свинцю, телуриду, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець,...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-типу, отримання, кристалів, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 24510

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: монокристалів, cdte:v, отримання, p-типу, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: pbte:bi, кристалів, отримання, p-типу, легованих, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Номер патенту: 19994

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, p-типу, вісмутом, легованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Те розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, p-типу, легованого, отримання, cdte:mn, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, телуриду, провідності, спосіб, монокристалів, отримання, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, телуриду, отримання, p-типу, провідності, монокристалів, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, плівок, p-типу, селеніду, свинцю, вісмутом, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 33/02

Мітки: провідності, cdte:cl, отримання, спосіб, p-типу, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: монокристалів, телуриду, провідності, кадмію, спосіб, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Номер патенту: 61299

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:in, монокристалів, p-типу, провідності, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...

Номер патенту: 57565

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Андрій Дмитрович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/02

Мітки: отримання, кристалічного, спосіб, p-типу, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного PbSe n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 57564

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Яцура Анна Михайлівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/02

Мітки: спосіб, p-типу, кристалічного, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Фреїк Дмитро Дмитрович, Калитчук Іван Васильович, Павлюк Любомир Ростиславович, Довгий Олег Ярославович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, плівок, тонких, свинцю, селеніду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...

Номер патенту: 51285

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Павлюк Любомир Ростиславович, Бойчук Володимира Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, провідності, спосіб, отримання, pbте, p-типу, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 50176

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Андрій Дмитрович, Галущак Мар'ян Олексійович, Павлюк Любомир Ростиславович, Довгий Олег Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, p-типу, спосіб, легованих, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих плівок PbSe n- і р-типу методом випаровування у вакуумі вихідної речовини при ТВ, нагріванням додаткового джерела свинцю до ТД, стінок камери - до ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів BaF2 - до ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані талієм, які випаровують при ТВ=970 К, температура додаткового джерела - ТД=900 К, температура стінок...

Номер патенту: 37710

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Малієнко Вадим Анатолійович, Парій Федір Микитович, Мельничук Юрій Вікторович

МПК: A01H 1/04

Мітки: p-типу, s-плазмі, закріплювачів, буряків, стерильності, створення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення закріплювачів стерильності П-типу на S-плазмі буряків, який включає схрещування чоловічостерильних рослин з кандидатами в закріплювачі стерильності, аналіз нащадків таких схрещувань за ступенем прояву ознаки стерильність-фертильність, добір за результатами цього аналізу закріплювачів стерильності, який відрізняється тим, що як кандидати в закріплювачі стерильності використовують функціонально фертильні рослини з стерилізуючою...