Патенти з міткою «дірковою»
Спосіб отримання шарів cdte з дірковою провідністю
Номер патенту: 107086
Опубліковано: 25.05.2016
Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Герман Іванна Іванівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: шарів, дірковою, провідністю, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів CdTe з дірковою провідністю, що включає механічне та хімічне полірування підкладинок n-CdTe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у киплячій водній суспензії солі Ва(NО3)2 не менше 10 хв.
Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю
Номер патенту: 54018
Опубліковано: 25.10.2010
Автор: Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 21/00
Мітки: цинку, шарів, провідністю, спосіб, селеніду, дірковою, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.
Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю
Номер патенту: 63548
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/00
Мітки: отримання, провідністю, цинку, сульфоселенідів, спосіб, дірковою, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки та відпал кристалів, який відрізняється тим, що відпал кристалів проводять у насиченій парі індію при температурі 700-850°С.