Бодюл Георгій Ілліч

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, спосіб, визначення, матеріалів, зони, забороненої, ширини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/477

Мітки: селеніду, кристалів, поверхні, спосіб, цинку, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 113671

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Герман Іванна Іванівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: метал-gap, фотодіодa, основі, виготовлення, спосіб, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.

Номер патенту: 107086

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Герман Іванна Іванівна, Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/00

Мітки: провідністю, спосіб, дірковою, шарів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів CdTe з дірковою провідністю, що включає механічне та хімічне полірування підкладинок n-CdTe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у киплячій водній суспензії солі Ва(NО3)2 не менше 10 хв.