Мельник Володимир Васильович
Спосіб обробки риби електричним струмом малої сили
Номер патенту: 115872
Опубліковано: 25.04.2017
Автори: Мазур Тетяна Василівна, Латманізова Тетяна Сергіївна, Мельник Володимир Васильович, Гаркуша Ілля Євгенович, Мартинюк Олександр Григорович, Недосєков Віталій Володимирович
МПК: A01K 61/10, A01K 61/13
Мітки: електричним, обробки, малої, сили, риби, спосіб, струмом
Формула / Реферат:
Спосіб обробки риби електричним струмом малої сили, який полягає в тому, що, при перебуванні на карантині, рибу поміщають у садки розмірами 1×1 метр, на протилежних кінцях, яких прикріплюються катод і анод пристрою, що створює постійний потік електронів і утворює в зоні садка електромагнітне поле, при цьому сила струму складає 0,1 мА, а напруга 70 В за умови, що відстань між анодом і катодом складає 1 м, обробка триває 3 години з...
Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації
Номер патенту: 65584
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 21/00, H01L 31/00
Мітки: селеніду, виготовлення, кубічної, гетерошарів, спосіб, кадмію, модифікації
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.
Детектор ультрафіолетового випромінювання
Номер патенту: 65566
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Орлецький Іван Григорович, Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 31/00
Мітки: детектор, ультрафіолетового, випромінювання
Формула / Реферат:
Детектор ультрафіолетового випромінювання, який складається з низькоомної підкладинки n-ZnSe, випрямляючого та омічного контактів, який відрізняється тим, що випрямляючим контактом є шар SnО2, який наносять методом пульверизації з наступним піролізом.
Експрес-спосіб фарбування мазків-відбитків слизової оболонки піхви для цитологічного дослідження при визначенні стадій статевого циклу та оптимального часу осіменіння сук
Номер патенту: 49169
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Хомич Володимир Тимофійович, Деркач Сергій Степанович, Мельник Володимир Васильович, Любецький Віталій Йосипович
МПК: A61D 19/00
Мітки: експрес-спосіб, циклу, осіменіння, оптимального, піхви, статевого, сук, стадій, визначенні, слизової, дослідження, часу, оболонки, фарбування, мазків-відбитків, цитологічного
Формула / Реферат:
Експрес-спосіб фарбування мазків-відбитків слизової оболонки піхви для цитологічного дослідження при визначенні стадій статевого циклу та оптимального часу осіменіння сук, що включає фарбування мазків-відбитків фарбою Май-Грюнвальда та додавання дистильованої води, який відрізняється тим, що для фарбування використовують одну фарбу з експозицією 4 хв., після чого, не зливаючи фарбу та не перемішуючи, наносять дистильовану воду з експозицією...
Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку
Номер патенту: 69980
Опубліковано: 15.09.2004
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 31/00, H01L 21/00
Мітки: спосіб, гетеропереходів, цинку, виготовлення, основі, сульфоселенідів, кадмію
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку, що включає відпал кристалів сульфіду кадмію або сульфіду цинку в парі селену, який відрізняється тим, що відпал проводять в атомарній парі селену.2. Спосіб за п. 1, в якому перевід пари молекулярного селену в атомарний стан здійснюють ультрафіолетовим випромінюванням.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал кристалів сульфіду кадмію...
Детектор областей біологічної дії ультрафіолетового випромінювання
Номер патенту: 63549
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 31/00
Мітки: ультрафіолетового, областей, випромінювання, дії, детектор, біологічно
Формула / Реферат:
1. Детектор областей біологічної дії ультрафіолетового випромінювання, що складається з фотоприймача та світлофільтра, який відрізняється тим, що як фотоприймач використовують поверхнево-бар'єрний фотодіод Ni-ZnSe та комплект змінних світлофільтрів.2. Детектор за п. 1, який відрізняється тим, що для виділення бактерицидної області у ньому як світлофільтр використовують абсорбційний світлофільтр типу БС3.3. Детектор за п. 1, який...
Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю
Номер патенту: 63548
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/00
Мітки: отримання, цинку, дірковою, сульфоселенідів, шарів, спосіб, провідністю
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки та відпал кристалів, який відрізняється тим, що відпал кристалів проводять у насиченій парі індію при температурі 700-850°С.
Висівний апарат
Номер патенту: 62280
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Мельник Володимир Васильович, Рудь Анатолій Володимирович, Іліяшик Володимир Васильович, Жалоба Валерій Михайлович, Мошенко Іван Остапович
МПК: A01C 7/08
Формула / Реферат:
1. Висівний апарат, що містить корпус з висівним вікном, в середині якого на горизонтальному валу знаходиться котушка з штифтами прямокутної форми та інжекторним пристроєм, який відрізняється тим, що висівне вікно виконане у вигляді трикутної форми з вершиною проти напрямку обертання котушки.2. Висівний апарат за п. 1, який відрізняється тим, що інжекторний пристрій виконаний з забором повітря в зоні подачі насіння у вихідний...
Спосіб виготовлення контакту метал-халькогенід цинку
Номер патенту: 58941
Опубліковано: 15.08.2003
Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович
МПК: H01L 31/00
Мітки: метал-халькогенід, спосіб, цинку, контакту, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення контакту метал-халькогенід цинку, що включає створення омічного та випростовуючого контактів, який відрізняється тим, що діод додатково обробляють у розчині, який дозволяє отримати шар високоомного ZnO на вільній від контактів поверхні кристалу.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що обробку здійснюють у 3-6 % розчині Н2О2 при кімнатній температурі протягом 2,5±0,5 годин.
Сівалка
Номер патенту: 58113
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Жалоба Валерій Михайлович, Хаєцький Микола Віталійович, Рудь Анатолій Володимирович, Мошенко Іван Остапович, Мельник Володимир Васильович
МПК: A01C 7/00, A01B 49/06
Мітки: сівалка
Формула / Реферат:
1. Сівалка для зернових культур, що складається з рами, яка опирається на два опорні пневматичні колеса, зверху на рамі встановлено зернотуковий бункер та резервуар для рідких добрив, яка відрізняється тим, що спереду до рами встановлюється дводисковий щілиноріз.2. Сівалка за п. 1, яка відрізняється тим, що щілиноріз складається з двох зубових дискових ножів.3. Сівалка за пп. 1, 2, яка відрізняється тим, що використання...
Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання
Номер патенту: 54946
Опубліковано: 17.03.2003
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович, Афанасьєва Сніжана Валентинівна
МПК: H01L 31/00
Мітки: спосіб, виготовлення, детектора, ультрафіолетового, випромінювання
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі низькоомного селеніду цинку, що включає утворення омічного і випрямного контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямного контакту проводять додаткову обробку поверхні напівпровідникової підкладинки у травнику, який взаємодіє з ZnO і не взаємодіє з ZnSe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення здійснюють у оцтовій есенції при...
Спосіб виготовлення омічних контактів до діодних структур на основі напівпровідникових сполук типу а(нижній індекс 3) в(нижній індекс 5)
Номер патенту: 16578
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович
МПК: H01L 21/28
Мітки: діодних, контактів, а(нижній, виготовлення, омічних, спосіб, основі, напівпровідникових, структур, індекс, сполук, типу, в(нижній
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...