Герман Іванна Іванівна
Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-gap
Номер патенту: 113671
Опубліковано: 10.02.2017
Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович, Герман Іванна Іванівна
МПК: H01L 31/00
Мітки: контакту, спосіб, метал-gap, виготовлення, основі, фотодіодa
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.
Спосіб отримання шарів cdte з дірковою провідністю
Номер патенту: 107086
Опубліковано: 25.05.2016
Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Герман Іванна Іванівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: отримання, провідністю, дірковою, спосіб, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів CdTe з дірковою провідністю, що включає механічне та хімічне полірування підкладинок n-CdTe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у киплячій водній суспензії солі Ва(NО3)2 не менше 10 хв.