Патенти з міткою «епітаксійної»
Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента
Номер патенту: 73341
Опубліковано: 25.09.2012
Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Круковський Семен Іванович, Круковський Ростислав Семенович
МПК: H01L 31/052, C23C 16/22, H01L 31/18 ...
Мітки: елемента, отримання, спосіб, сонячного, епітаксійної, структури
Формула / Реферат:
Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента на основі GalnP/GaAs з двома р-n переходами із газової фази, яка містить, як елементи третьої і п'ятої груп, триметилгалій (TMGa), триметилалюміній (ТМА1), арсин (АН3) та фосфін (РН3), а як донорні та акцепторні домішки - силан (SiH4) та діетилцинк (DEZn), який відрізняється тим, що формування твердого розчину pAlxGa1-xAs, легованого цинком із наростаючою шириною забороненої зони до...