Новіков Євген Іванович

Номер патенту: 93890

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G01R 17/00, G01R 27/00

Мітки: твердотільних, пристрій, структур, нвч-контролю, електрофізичних, параметрів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для НВЧ-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур, що містить НВЧ-генератор, резонаторний зонд, керований за допомогою комп'ютера предметний столик, генератор модульованої частоти F, з'єднаний з пов'язаними зі спрямованим відгалужувачем двома синхронними детекторами, вихід першого з яких, що працює на частоті F, пов'язано з комп'ютером та НВЧ-генератором, а вихід другого, що працює на частоті 2F, з'єднано з...

Номер патенту: 85049

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Неймаш Володимир Борисович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Носенко Віктор Костянтинович, Порошин Володимир Миколайович, Кабалдін Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00, C23C 16/00 ...

Мітки: сонячних, нанокомпозиту, кремнію, елементів, спосіб, аморфно-кристалічного, плівок, основі, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок аморфно-кристалічного нанокомпозиту на основі кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію із газової фази на гнучкі не тугоплавкі підкладки, який відрізняється тим, що плівки кремнію легують високочистими домішками олова та вуглецю у певних вагових пропорціях при виготовленні порошкової суміші, яку переводять у газову фазу термічним випаровуванням у вакуумі.

Номер патенту: 84867

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 39/22

Мітки: джозефсонівський, надпровідникового, полів, багатошаровий, контакт, змінних, електромагнітних, реєстрації, магнетометра

Формула / Реферат:

Джозефсонівский багатошаровий контакт надпровідного магнітометра для реєстрації змінних електромагнітних полів, який містить розміщений на ізолюючій підкладці нижній електрод, виконаний з надпровідників, і послідовно розміщені на ньому шар ненадпровідного металу, плівку ізолятора і верхній надпровідний електрод, який відрізняється тим, що між плівкою ізолятора і верхнім надпровідним електродом розміщується додатковий шар ненадпровідного...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: напівпровідникових, структур, контролю, електрофізичних, мікроскоп, скануючий, параметрів, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Номер патенту: 74303

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 31/12, H05B 3/20, H01Q 13/00 ...

Мітки: випромінювач, світлодіодний

Формула / Реферат:

1. Світлодіодний випромінювач, що містить послідовно встановлені вдовж оптичної осі модуль із Μ ³ 2 твердотільних чипів з різними довжинами хвиль випромінювання, оптичний змішувач і збиральну лінзу, який відрізняється тим, що оптичний змішувач складено із М-1 об'ємних фазових дифракційних ґраток з просторовою модуляцією показника заломлення m -й ґратки з періодом d :

Номер патенту: 73341

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 31/052, C23C 16/22, H01L 31/18 ...

Мітки: сонячного, отримання, епітаксійної, елемента, спосіб, структури

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента на основі GalnP/GaAs з двома р-n переходами із газової фази, яка містить, як елементи третьої і п'ятої груп, триметилгалій (TMGa), триметилалюміній (ТМА1), арсин (АН3) та фосфін (РН3), а як донорні та акцепторні домішки - силан (SiH4) та діетилцинк (DEZn), який відрізняється тим, що формування твердого розчину pAlxGa1-xAs, легованого цинком із наростаючою шириною забороненої зони до...

Номер патенту: 72966

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Золот Анатолій Іванович, Галстян Геворк Гакікович, Ходаковський Микола Іванович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: структур, керування, продуктивністю, формування, пристрій, наноелектронних

Формула / Реферат:

Пристрій керування продуктивністю формування наноелектронних структур, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока сканування зонда, вихід блока сканування зонда з'єднаний з входом блока реєстрації відхилень зонда, вхід-вихід блока реєстрації відхилень зонда зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що містить блок керування скануванням...

Номер патенту: 72667

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Форш Павєл Анатольєвіч, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 31/00, C23C 16/00, H01L 21/00 ...

Мітки: плівок, сонячних, аморфного, кремнію, елементів, наноструктурованих, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованих плівок аморфного кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію на підкладку із газової фази, який відрізняється тим, що плівки аморфного кремнію освітлюють випромінюванням фемтосекундного лазера на основі калій-гадолінієвого вольфрамату ітербію або титан-сапфіру.

Номер патенту: 65114

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: H01J 37/27

Мітки: скануючий, мікроскоп, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

1. Скануючий мікрохвильовий мікроскоп, що містить НВЧ генератор, резонатор, детектор, блок обробки інформації, який відрізняється тим, що до резонатора, який виготовлений у формі циліндра, приєднаний коаксіальний вивід, в якому центральний провідник встановлений паралельно осі резонатора.2. Скануючий мікрохвильовий мікроскоп за п. 1, який відрізняється тим, що резонатор і коаксіальний вивід виготовлені із твердого діелектрика у формі...

Номер патенту: 62412

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Ходаковський Микола Іванович, Новіков Євген Іванович, Галстян Георгій Георгійович, Золот Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: окислення, наноструктур, анодного, зондового, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...

Номер патенту: 79427

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Аріх Володимир Спиридонович, Бабіч Людмила Петрівна, Павленко Олександр Анатольйович, Новіков Євген Іванович, Шмуклер Йосип Срулевіч, Полєщук Петро Миколайович, Соломович Віталій Моісейович, Родякін Ігор Олександрович

МПК: F27D 3/00, F27B 9/30

Мітки: прийому, пристрій, заготовок, печі, слябів

Формула / Реферат:

Пристрій для прийому із печі заготовок і слябів, що включає похилий елемент для спуску заготовок на рольганг, встановлений на рамі, буферний вузол, привід, шарнірно з'єднаний з амортизатором, який відрізняється тим, що амортизатор виконаний як Г-подібний двоплечий важіль, шарнірно закріплений на рамі, причому один кінець важеля виконаний у вигляді вилки, яка розміщена між роликами рольганга.

Номер патенту: 78732

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Соломович Віталій Моісейович, Родякін Ігор Олександрович, Новіков Євген Іванович, Попов Анатолій Васильович, Павленко Олександр Анатольйович, Шмуклер Йосип Срулевіч, Аріх Володимир Спиридонович, Полєщук Петро Миколайович

МПК: B22D 11/057

Мітки: установки, кристалізатора, розливання, безперервного, виготовлення, сталі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристалізатора для установки безперервного розливання сталі, що включає відливання мідних стінок кристалізатора, виготовлення в них каналів для охолоджуючої рідини, виготовлення на одній із стінок місця під датчик контролю рівня рідкого металу, який відрізняється тим, що відливання мідних стінок кристалізатора здійснюють шляхом заливання міді в каркас з тонкого листового металу, при цьому виготовлення в них каналів для...

Номер патенту: 75444

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Полєщук Петро Миколайович, Соломович Віталій Моісейович, Герасименко Віктор Григорович, Аріх Володимир Спиридонович, Родякін Ігор Олександрович, Мисочка Анатолій Васильович, Шмуклер Йосип Срулевіч, Павленко Олександр Анатольйович, Попов Анатолій Васильович, Новіков Євген Іванович

МПК: B22D 11/04, B22D 11/00, B22D 11/06 ...

Мітки: двошарових, розливання, злитків, безперервного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб безперервного розливання двошарових злитків, що включає подачу основного металу і плакувального металу у кристалізатор, безперервне формування злитків основного і плакувального металів, витягування їх із кристалізатора і з'єднання у двошаровий злиток у гарячому стані, який відрізняється тим, що витягування злитка плакувального металу з кристалізатора здійснюють після його повного тверднення, злиток плакувального металу після виходу з...

Номер патенту: 73775

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Аріх Володимир Спиридонович, Соломович Віталій Моісейович, Новіков Євген Іванович, Павленко Олександр Анатольйович, Шмуклер Йосип Срулевіч, Полєщук Петро Миколайович, Родякін Ігор Олександрович

МПК: B65H 9/00, B21B 39/14

Мітки: зупинки, заготовок, рольгангу, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для зупинки заготовок на рольгангу, що включає упорну рухливу плиту, корпус для її установки, важільний механізм переміщення плити з приводом, пружинні амортизатори, який відрізняється тим, що, корпус розташовано на рівні рольганга, а упорна рухлива плита встановлена в корпусі на роликових опорах з можливістю горизонтального переміщення.