Круковський Ростислав Семенович
Спосіб виготовлення епітаксійних шарів inp методом газотранспортних реакцій
Номер патенту: 73666
Опубліковано: 10.10.2012
Автори: Круковський Ростислав Семенович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович
МПК: H01L 27/14
Мітки: епітаксійних, газотранспортних, реакцій, методом, спосіб, шарів, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...
Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента
Номер патенту: 73341
Опубліковано: 25.09.2012
Автори: Круковський Семен Іванович, Круковський Ростислав Семенович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович
МПК: H01L 31/052, H01L 31/18, C23C 16/22 ...
Мітки: спосіб, структури, елемента, сонячного, отримання, епітаксійної
Формула / Реферат:
Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента на основі GalnP/GaAs з двома р-n переходами із газової фази, яка містить, як елементи третьої і п'ятої груп, триметилгалій (TMGa), триметилалюміній (ТМА1), арсин (АН3) та фосфін (РН3), а як донорні та акцепторні домішки - силан (SiH4) та діетилцинк (DEZn), який відрізняється тим, що формування твердого розчину pAlxGa1-xAs, легованого цинком із наростаючою шириною забороненої зони до...
Перетворювач сонячної енергії
Номер патенту: 55340
Опубліковано: 10.12.2010
Автори: Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Ростислав Семенович, Тимчишин Вікторія Романівна
МПК: F24J 2/42, H01L 31/04
Мітки: перетворювач, сонячної, енергії
Формула / Реферат:
1. Перетворювач сонячної енергії, що містить герметичний корпус з теплоізоляцією, оснащений прозорим покриттям, під яким розташовані фотоелектричні перетворювачі, встановлені з забезпеченням теплового контакту на випарних зонах теплових труб, конденсаційні зони яких мають тепловий контакт з теплоносієм, який відрізняється тим, що фотоелектричні перетворювачі виконано у вигляді епітаксійних тандемних гетероструктур на основі сполук А3В5, а...
Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів inas
Номер патенту: 50362
Опубліковано: 10.06.2010
Автори: Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович
МПК: H01L 27/14
Мітки: епітаксійних, чистих, спосіб, шарів, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів InAs методом рідиннофазної епітаксії, що включає використання індію як розчинника, введення в нього ітербію або гадолінію в кількості 0,002-0,003 мол. % та кристалізацію шару InAs в інтервалі температур 650-600 °С на підкладці InAs, який відрізняється тим, що в розчин-розплав індію додається алюміній в кількості 0,001-0,003 мол. %.