Круковський Семен Іванович

Номер патенту: 73670

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Ваків Микола Михайлович, Тимчишин Вікторія Романівна, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: структур, двосторонніх, отримання, епітаксійних, графітова, касета

Формула / Реферат:

Графітова касета для отримання двосторонніх епітаксійних структур, що складається з корпусу з отвором для зливу розчинів-розплавів у поршневу камеру, контейнера для розчинів-розплавів з кришкою, тримача підкладки, поршня, двох допоміжних пластин, яка відрізняється тим, що у корпусі виконана нижня поршнева камера і отвір, який суміщається з отворами, виконаними в поршні та допоміжній пластині, призначеними для зливу розчинів-розплавів із...

Номер патенту: 73666

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Круковський Семен Іванович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович, Круковський Ростислав Семенович

МПК: H01L 27/14

Мітки: спосіб, реакцій, газотранспортних, виготовлення, епітаксійних, шарів, методом

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 73341

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Новіков Євген Іванович, Круковський Семен Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Круковський Ростислав Семенович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/052, C23C 16/22 ...

Мітки: отримання, сонячного, структури, епітаксійної, спосіб, елемента

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента на основі GalnP/GaAs з двома р-n переходами із газової фази, яка містить, як елементи третьої і п'ятої груп, триметилгалій (TMGa), триметилалюміній (ТМА1), арсин (АН3) та фосфін (РН3), а як донорні та акцепторні домішки - силан (SiH4) та діетилцинк (DEZn), який відрізняється тим, що формування твердого розчину pAlxGa1-xAs, легованого цинком із наростаючою шириною забороненої зони до...

Номер патенту: 55340

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Круковський Ростислав Семенович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Тимчишин Вікторія Романівна

МПК: F24J 2/42, H01L 31/04

Мітки: перетворювач, сонячної, енергії

Формула / Реферат:

1. Перетворювач сонячної енергії, що містить герметичний корпус з теплоізоляцією, оснащений прозорим покриттям, під яким розташовані фотоелектричні перетворювачі, встановлені з забезпеченням теплового контакту на випарних зонах теплових труб, конденсаційні зони яких мають тепловий контакт з теплоносієм, який відрізняється тим, що фотоелектричні перетворювачі виконано у вигляді епітаксійних тандемних гетероструктур на основі сполук А3В5, а...

Номер патенту: 50362

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Ростислав Семенович

МПК: H01L 27/14

Мітки: чистих, епітаксійних, шарів, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів InAs методом рідиннофазної епітаксії, що включає використання індію як розчинника, введення в нього ітербію або гадолінію в кількості 0,002-0,003 мол. % та кристалізацію шару InAs в інтервалі температур 650-600 °С на підкладці InAs, який відрізняється тим, що в розчин-розплав індію додається алюміній в кількості 0,001-0,003 мол. %.

Номер патенту: 43134

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Михащук Юрій Сергійович

МПК: H01L 27/14

Мітки: шарів, спосіб, методом, епітаксійних, виготовлення, реакцій, газотранспортних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів GaAs методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - галію, а  як джерела арсену - трихлорид арсену з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (780-850 °С) до арсену, та утворення тут хлориду галію, які, транспортуючись у низькотемпературну зону (730-750 °С), кристалізуються на підкладці у вигляді GaAs, який відрізняється тим, що галієве джерело...

Номер патенту: 43132

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Сиворотка Наталія Ярославівна

МПК: H01L 27/14

Мітки: отримання, варізонною, гетероструктурі, активною, областю, спосіб, nalgaаs-palgaas-p+algaas

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероструктури nAlGaAs-pAlGaAs-p+AlGaAs з варізонною активною областю за двостадійною технологією рідиннофазної епітаксії в температурному інтервалі 850-700 °С, що передбачає на першій стадії на підкладці nGaAs формування буферного шару nAlxGa1-xAs, а на другій стадії утворення р-n-переходу в цьому шарі, який відрізняється тим, що формування буферного варізонного епітаксійного шару nAlxGa1-xAs із зростанням ширини...

Номер патенту: 41229

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Воронько Андрій Олександрович, Круковський Семен Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Голяка Роман Любомирович, Михащук Юрій Сергійович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/00

Мітки: кристалізації, лазерних, точками, гетероструктур, спосіб, квантовими

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.

Номер патенту: 40277

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/02

Мітки: омічних, n-gan, контактів, виготовлення, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до n-GaN, що включає послідовне напилення шарів Ті, Аl на нагріту до 150-200 °С плівку n-GaN та їх термовідпал при температурі 890-910 °С протягом 30-90 секунд і наступне напилення шарів ТіВх, Аu, який відрізняється тим, що на поверхню шару Аl перед напиленням шару ТіВх наносять шар Yb товщиною від 7 нм до 13 нм.

Номер патенту: 36791

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Михащук Юрій Сергійович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 21/208

Мітки: графітова, касета, поршнева, отримання, структур, багатошарових

Формула / Реферат:

Графітова поршнева касета для отримання багатошарових структур, що складається з корпусу, всередині якого знаходиться тримач підкладки з кришкою, в котрому виконано вхідний та зливний отвори, рухомого поршня, який щільно контактує зі стінкою тримача підкладки, зверху касета містить рухомий контейнер з комірками для розчинів-розплавів, а знизу розміщений зливний контейнер, яка відрізняється тим, що в нижній частині тримача підкладки виконано...

Номер патенту: 50883

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 21/208

Мітки: шару, напівізолювального, арсеніду, галію, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...