Патенти з міткою «ga5,46ln4,47er0,07s15»

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, одержання, ga5,46ln4,47er0,07s15, монокристалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...