C30B 1/00 — Вирощування монокристалів безпосередньо з твердого стану

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, спосіб, ga5,94ln3,96er0,1se15, монокристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,46ln4,47er0,07s15, спосіб, одержання, монокристалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Дремлюженко Сергій Григорович, Демчина Любомир Андрійович, Колісник Михайло Георгійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Захарук Зінаїда Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Мисевич Ігор Захарович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 13/02, C30B 1/00, C30B 13/10 ...

Мітки: cdxzn1-xte, спосіб, твердих, вирощування, cdxmn1-xte, розчинів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Дремлюженко Сергій Григорович, Колісник Михайло Георгієвич, Галочкин Олександр Вікторович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 13/12, C30B 13/10, C30B 1/00 ...

Мітки: процес, отримання, in2hg3te6, монокристалів

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Катеринчук Валерій Миколайович, Дуплавий Василь Йосипович, Товарницький Мірча Васильович, Заслонкін Андрій Володимирович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 1/00, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, грані, кристалографічній, одержання, осі, шаруватих, кристалах, колінеарної

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Наталія Дмитрівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, кристалів, провідності, znse:in, p-типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 52583

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Лободюк Валентин Андрійович, Сич Тетяна Григорівна, Литвиненко Юрій Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: металевих, спосіб, монокристалів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання металевих монокристалів, що включає нагрів масивного металевого зразка до температури переходу в монокристалічний стан, який відрізняється тим, що нагрівають з одного кінця масивний металевий зразок, який знаходиться в аморфному стані, до температури кристалізації в твердому стані та здійснюють його поступове переміщення відносно температурної діафрагми, нагрітої до температури кристалізації в твердому стані, в напрямку руху...

Номер патенту: 83148

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Порєв Володимир Андрійович, Патон Борис Євгенович, Асніс Юхим Аркадійович, Заболотін Станіслав Павлович, Щегельський Микола Євдокимович, Перепеченко Борис Іванович, Шевченко Петро Миколайович, Юрченко Микола Миколайович, Статкевич Ігор Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 1/00, C30B 35/00 ...

Мітки: установка, космосі, електронно-променевої, матеріалу, плавки, умовах, вакууму, зонної, мікрогравітації, космічного

Формула / Реферат:

1. Установка для електронно-променевої зонної плавки матеріалу в космосі в умовах мікрогравітації і космічного вакууму, що складається з ростової вакуумної камери, яка має вакуумно-щільний корпус з циліндричними охолоджуваними стінками і кришкою,  електронно-променевого нагрівача, приводу переміщення електронно-променевого нагрівача, приводу вертикального переміщення електронно-променевого нагрівача, утримувачів зразка матеріалу, патрубка для...

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Бабущак Галина Ярославівна, Сташко Назар Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-znse, спосіб, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...

Номер патенту: 29699

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-znse, кристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe n-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку...

Номер патенту: 27517

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: матеріалу, основі, термоелектричного, свинцю, телуриду, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, n-типу, кристалів, отримання, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Сташко Назар Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-типу, кристалів, напівпровідникових, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 79396

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Волошко Олександр Юрійович, Кудін Костянтин Олександрович, Софронов Дмитро Семенович, Кисіль Олена Михайлівна, Шишкін Олег Валерійович, Семиноженко Володимир Петрович

МПК: C01D 3/00, C30B 1/00

Мітки: йодидів, лужних, спосіб, сполук, металів, домішок, очищення, органічних

Формула / Реферат:

Спосіб очищення йодидів лужних металів від домішок органічних сполук, що включає завантаження солі в ампулу, її вакуумування, нагрівання солі при постійному вакуумуванні, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють поступово з швидкістю 20-50 °С за годину до температури 420±20 °С, при цьому тиск підтримують постійним на рівні 10-3 мм рт. ст.

Номер патенту: 77308

Опубліковано: 15.11.2006

Автор: Кеснель Янік

МПК: C09B 67/00, C07C 403/00, C09B 61/00 ...

Мітки: одержання, спосіб, кристалів, каротиноїдів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів каротиноїдів з рослинної екстракційної ефірної олії, що містить каротиноїди, який включає: (а) введення екстракційної ефірної олії в органічний розчинник, спирт і основу при температурі кипіння органічного розчинника з утворенням здатної омилюватися реакційної суміші; (b) витримування цієї здатної омилюватися реакційної суміші протягом часу, достатнього для завершення реакції омилення, одержуючи в...

Номер патенту: 49563

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Лісняк Владислав Владиславович, Стратійчук Денис Анатолійович, Слободяник Микола Семенович

МПК: C01G 41/00, C30B 1/00

Мітки: вольфрамових, отримання, бронз, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів вольфрамових бронз, який передбачає змішування вихідних порошкоподібних компонентів, які містять порошки вищого оксиду вольфраму та металічного вольфраму, здійснення їх синтезу при високих температурах, який відрізняється тим, що в процесі синтезу при високих температурах як флюс використовують принаймні один з евтектичних хлоридних розплавів лужних металів LiCl - K(Rb)Cl в кількості не менше 10-15 % від...

Номер патенту: 46282

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович, Никируй Любомир Іванович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, основі, твердих, отримання, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів на основі SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, методом ступінчатого нагріву синтезують, витримують при максимальній температурі, після чого охолоджують до кімнатної, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи напівпровідникової чистоти, співвідношення яких відповідає твердому розчину...

Номер патенту: 46281

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Довгий Олег Ярославович, Іванишин Ірина Мирославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, основі, спосіб, термоелектричних, сплавів, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі сполук АIVВIV, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи, співвідношення...

Номер патенту: 43951

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна, Павлюк Мирослав Федорович

МПК: C30B 1/00

Мітки: sntе, основі, твердих, розчинів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, методом ступінчастого нагріву синтезують, витримують при максимальній температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи напівпровідникової чистоти, співвідношення яких відповідає твердому...

Номер патенту: 43949

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Довгий Олег Ярославович, Запухляк Руслан Ігорович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 1/00

Мітки: сплавів, отримання, сполук, спосіб, основі, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі сполук АIVВIV, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи,...

Номер патенту: 43163

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C22C 5/00, C22C 32/00, C22C 1/00 ...

Мітки: отримання, тербію, телуриду, сплавів, свинцю, термоелектричних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...

Номер патенту: 41467

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Дяденко Аркадій Ігоревич, Середа Анатолій Павлович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04, C30B 1/00, C10C 3/00 ...

Мітки: алмазу, спосіб, кристалізації, гетерогенної, рідкофазної

Формула / Реферат:

Спосіб гетерогенної рідкофазної кристалізації алмазу шляхом взаємодії вуглеводнів з каталізатором, який відрізняється тим, що як вуглеводні використовують дегідровані компоненти бітуму і процес здійснюють адсорбційною взаємодією цих компонентів з гідридною поверхнею каталізатора, що утворюється хемосорбцією водню при високотемпературному і каталітичному дегідруванні полідисперсних високомолекулярних компонентів бітум-смол і асфальтенів з...

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: пластин, монокристалічних, hg1-xcdxte, х=0,2...0,22, ампулі, провідності, одержання, спосіб, n-типу, герметичний

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Новіков Микола Васильович, Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C30B 1/00, B01J 3/00, C01B 31/06 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, затравці, алмазу, синтезу

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...