Патенти з міткою «монокристалу»

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, ga5,94ln3,96er0,1se15, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, монокристалу, спосіб, ga5,46ln4,47er0,07s15

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Балазюк Віталій Назарович, Саміла Андрій Петрович, Хандожко Віктор Олександрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: температури, монокристалу, селеніду, реєстрації, основі, процес, галію

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, джерела, матеріал, твердоелектролітичного, монокристалу, енергії, йодид-пентаселеногерманату, міді, cu7gese5i

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: монокристалу, енергії, твердого, розчину, матеріалу, cu7ge(s0,7se0,3)5i, твердоелектролітичного, застосування, джерела

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 79330

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Артеменко Максим Петрович, Гриньов Борис Вікторович, Стрельніков Микола Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Тавровський Ігор Ігорович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощуваного, підживлення, монокристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для підживлення вирощуваного монокристалу, що містить бункер із сировиною, що циліндричною вихідною трубкою разом з розташованим у ньому диспергатором з'єднаний з вібраційним дозатором, у якому знаходиться поличка дозованого об'єму сировини, прикріплена одним краєм до кришки дозатора, а другим краєм, що має магнітну підкладку, розташована під першим електромагнітом, установленим на дозаторі, важільний механізм, з'єднаний з...

Номер патенту: 75591

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Кремер Карл Вільхельм, ван Луф Едгар Валентейн Діувер, Гюдель Ханс-Ульріх, ван Ейк Карел Вільхельм Едуард, Доренбос Пітер

МПК: G01T 1/202, C01F 17/00, C09K 11/77 ...

Мітки: речовини, вирощування, застосування, сцинтиляційної, монокристалу, спосіб, речовина, сцинтиляційна

Формула / Реферат:

1. Неорганічна сцинтиляційна речовина загального складу М1-xСеxСl3, де М є елементом або сумішшю елементів групи: Y, La, лантаноїдів, і де х є молярним рівнем заміщення М церієм, де х більше або дорівнює 0,01 і точно менше 1.2. Сцинтиляційна речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що М є елементом або сумішшю елементів групи, яка складається з La, Gd, Lu.3. Сцинтиляційна речовина за будь-яким з попередніх пунктів, яка...

Номер патенту: 75066

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Кремер Карл Вільхельм, Гюдель Ханс-Ульріх, ван Луф Едгар Валентейн Діувер, ван Ейк Карел Вільхельм Едуард, Доренбос Пітер

МПК: C09K 11/08, C09K 11/00, C01F 17/00 ...

Мітки: сцинтиляційної, речовини, застосування, монокристалу, речовина, спосіб, сцинтиляційна, вирощування

Формула / Реферат:

1. Неорганічна сцинтиляційна речовина загального складу М1-xCexBr3, де М є елементом або сумішшю елементів групи: La, Gd, Y, переважно є елементом або сумішшю елементів групи: La, Gd, і де х є молярним рівнем заміщення М церієм, де х більше або дорівнює 0,0001 і обов'язково менше ніж 1.2. Сцинтиляційна речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що М є лантаном.3. Сцинтиляційна речовина за пп. 1 або 2, яка відрізняється тим, що...

Номер патенту: 32987

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 33/00, G01N 23/20

Мітки: орієнтування, монокристалу, спосіб

Текст:

...згідно винаходу, на монокристалі виконують принаймні дві пари паралельних зрізів , визначають взаємне розміщення виконаних зрізів , розділяють монокристал на дві частини, кожна з яких містить принаймні два непаралель-них зрізи, після чого визначають просторове положення по відношенню -до кристалографічних напрямків монокристалу зрізів однієї , переваж 2. но, меншої частини монокристалу 1 по ньому судять про орієнтацію зрізів на другій...

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Лукша Олег Васильович, Тюпа Олександр Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: C30B 29/10, C30B 7/00, G01B 3/00 ...

Мітки: тригліцинсульфату, розчину, визначення, росту, монокристалу, спосіб, швидкості

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...

Номер патенту: 16737

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Панова Олександра Миколаївна, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Віноград Едуард Львович, Шахова Клавдія Вікторівна, Шпилинська Лариса Миколаівна

МПК: C30B 29/12

Мітки: матеріал, монокристалу, сцинтиляційний, основі

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный материал на основе мо­нокристалла 051, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрируемых излуче­ний температурного интервала, использования и повышения светового выхода монокристалла, ма­териал дополнительно содержит Сз^СОд при сле­дующем соотношении компонентов, мас.%: 052003 (1,6 • ІО'Ь - (8 - 10^), СA1 остальное.