Патенти з міткою «ga5,94ln3,96er0,1se15»

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, монокристалу, ga5,94ln3,96er0,1se15, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...