Патенти з міткою «hg1-xte»

Номер патенту: 54476

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Богобоящий Віктор Володимирович, Іжнін Ігор Іванович, Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: фотодіодів, виготовлення, спосіб, hg1-xte, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі монокристалічних вакансійно-легованих пластин CdxHg1-xTe р-типу провідності, в яких концентрацію дірок задають відпалом в парі ртуті, а формування n-областей фотодіодів здійснюють за одним з методів: іонної імплантації, іонно-променевого травлення, термічного відпалу або опромінення швидкими електронами, який відрізняється тим, що при вирощуванні монокристалу  вводять домішки Se або Zn в кількості ...