Іжнін Ігор Іванович

Номер патенту: 59061

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Матковський Андрій Орестович, Мельник Сергій Степанович, Ваків Микола Михайлович, Іжнін Ігор Іванович, Доценко Юрій Павлович, Сиворотка Ігор Михайлович, Ларкін Сергій Юрійович, Убізський Сергій Борисович

МПК: H01S 3/11

Мітки: мікрочіпових, виготовлення, активних, добротністю, лазерів, середовищ, структур, пасивно-модульованою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур AIГ:Nd/AІГ:Cr4+ та ГГГ:Nd/ГГГ:Cr4+ для активних середовищ мікрочіпових лазерів з пасивно-модульованою добротністю методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з алюмо-ітрієвого гранату, легованого іонами неодиму (AІГ:Nd), або галій-гадолінієвого гранату, легованого іонами неодиму (ГГГ:Nd), відповідно, в пересичений розчин-розплав суміші гранатоутворюючих оксидів Y2O3, Аl2О3 або Gа2O3, Gd2O3,...

Номер патенту: 54476

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Богобоящий Віктор Володимирович, Іжнін Ігор Іванович, Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: hg1-xte, фотодіодів, виготовлення, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі монокристалічних вакансійно-легованих пластин CdxHg1-xTe р-типу провідності, в яких концентрацію дірок задають відпалом в парі ртуті, а формування n-областей фотодіодів здійснюють за одним з методів: іонної імплантації, іонно-променевого травлення, термічного відпалу або опромінення швидкими електронами, який відрізняється тим, що при вирощуванні монокристалу  вводять домішки Se або Zn в кількості ...