H01L 31/0264 — неорганічним матеріалом

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Білецький Микола Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: шотткі, уф-фотодіод, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шабашкевич Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович, Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/0264, H01L 31/06 ...

Мітки: фотодіод, чутливий, бар'єром, спектра, ультрафіолетовому, діапазоні, шотткі

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/06, H01L 31/0264 ...

Мітки: шотткі, фотодіод, спектра, чутливий, бар'єром, діапазоні, ультрафіолетовому

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/00, C01B 33/02, C30B 13/00 ...

Мітки: плавки, чохральського, спосіб, зливка, полікристалічного, зонної, направленої, кристалізації, шляхом, виготовлення, методом, одержуваного, еремнію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 79800

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Бойко Борис Тимофійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/04

Мітки: основі, виготовлення, спосіб, перетворювачів, фотоелектричних, гнучких

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гнучких фотоелектричних перетворювачів на основі CdTe, що включає  осадження методом магнетронного розпилення електродного шару оксидів індію й олова (ІТО)  на гнучку підкладку з прозорої поліімідної плівки,  пошарове осадження шляхом  термічного випаровування  шарів CdS та CdTe,  з наступним відпалом приладової структури із сформованими  зовнішніми електродами, який відрізняється тим, що додатково здійснюють відпал шару...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Ковтун Геннадій Прокопович, Горбенко Юрій Васильович, Берінгов Сергій Борисович, Власенко Тимур Вікторович, Шульга Юрій Григорович, Щербань Олексій Петрович

МПК: C30B 15/00, H01L 31/0264, H01L 31/036 ...

Мітки: кремнію, одержання, галієвої, лігатури, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/48, H01L 31/0264

Мітки: напівпровідниковий, спосіб, аiiвvi, сполук, сцинтиляційний, одержання, основі, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Номер патенту: 66351

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Денг Ксунмінг, Овшинські Стенфорд Р., Гуха Субхенду, Джоунс Скотт, Йанг Чі-Чунг

МПК: H01L 31/04, H01L 31/036, H01L 31/0264 ...

Мітки: речовина, кремнієва, немонокристалічна

Формула / Реферат:

1. Немонокристалічна кремнієва речовина, яка відрізняється тим, що містить області речовини з проміжним порядком з розмірами кристалів від 10А до 50А, які складають щонайменше 8 об'ємних відсотків, але не містить більшого або рівного об'ємного відсотка, що призводить до утворення перколяційного каналу усередині речовини, причому решта речовини є речовиною або аморфною, або сумішшю аморфної і мікрокристалічної речовин.2....

Номер патенту: 54476

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Богобоящий Віктор Володимирович, Курбанов Курбан Рамазанович, Іжнін Ігор Іванович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: hg1-xte, спосіб, основі, фотодіодів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі монокристалічних вакансійно-легованих пластин CdxHg1-xTe р-типу провідності, в яких концентрацію дірок задають відпалом в парі ртуті, а формування n-областей фотодіодів здійснюють за одним з методів: іонної імплантації, іонно-променевого травлення, термічного відпалу або опромінення швидкими електронами, який відрізняється тим, що при вирощуванні монокристалу  вводять домішки Se або Zn в кількості ...

Номер патенту: 11657

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Маловічко Ельза Олександрівна, Волков Юрій Миколайович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Єргаков Валерій Костянтинович, Сальков Євген Андрійович, Курбанов Курбан Рамазанович, Любченко Олексій Вікторович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: pi-cdchihgiota-chite, спосіб, одержання, напівпровідникового, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в мате­риале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...