Курбанов Курбан Рамазанович

Номер патенту: 54476

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Курбанов Курбан Рамазанович, Іжнін Ігор Іванович, Богобоящий Віктор Володимирович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: hg1-xte, основі, виготовлення, фотодіодів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі монокристалічних вакансійно-легованих пластин CdxHg1-xTe р-типу провідності, в яких концентрацію дірок задають відпалом в парі ртуті, а формування n-областей фотодіодів здійснюють за одним з методів: іонної імплантації, іонно-променевого травлення, термічного відпалу або опромінення швидкими електронами, який відрізняється тим, що при вирощуванні монокристалу  вводять домішки Se або Zn в кількості ...

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалічних, hg1-xcdxte, n-типу, герметичний, ампулі, х=0,2...0,22, пластин, провідності, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...

Номер патенту: 11659

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мисливець Ксенія Артурівна, Баранський Петро Іванович, Курбанов Курбан Рамазанович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Любченко Олексій Вікторович, Єргаков Валерій Костянтинович, Сальков Євген Андрійович, Лукинський Юрій Леонідович, Оліх Ярослав Михайлович

МПК: H01L 21/463, H01L 21/26

Мітки: напівпровідникових, спосіб, параметрами, а11в1, типу, керування, електрофізичними, сполук

Формула / Реферат:

1. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа АІ ВVI, включающий ультразвуковое воздействие интенсивностью 102 - 2-103 Вт/ч2 на образец соединения и последующее химическое удаление приповерхностного нарушенного слоя на глубину 5-10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cdxtg1-k Te состава...

Номер патенту: 11657

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Курбанов Курбан Рамазанович, Маловічко Ельза Олександрівна, Єргаков Валерій Костянтинович, Волков Юрій Миколайович, Любченко Олексій Вікторович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Сальков Євген Андрійович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: pi-cdchihgiota-chite, напівпровідникового, одержання, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в мате­риале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...