Патенти з міткою «inas1-хsbх»

Номер патенту: 48820

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: otpиmaння, cпociб, tbepдoгo, mikpokpиctaлib, poзчину, inas1-хsbх

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...