Патенти з міткою «otpиmaння»
Cпociб otpиmaння нectexiometpичнoгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7<те>
Номер патенту: 51832
Опубліковано: 10.08.2010
Автори: Прокопів Володимир Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: нectexiometpичнoгo, otpиmaння, tepmoeлektpичнoгo, n-pbbi4те7<те>, cпociб, matepiaлу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...
Cпociб otpиmaння нoboгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7
Номер патенту: 49970
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталя Іванівна, Горічок Ігор Володимирович
МПК: C30B 11/00
Мітки: matepiaлу, n-pbbi4те7, otpиmaння, cпociб, нoboгo, tepmoeлektpичнoгo
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...
Cпociб otpиmaння mikpokpиctaлib tbepдoгo poзчину inas1-хsbх
Номер патенту: 48820
Опубліковано: 12.04.2010
Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович
МПК: C30B 25/00
Мітки: inas1-хsbх, tbepдoгo, otpиmaння, mikpokpиctaлib, poзчину, cпociб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...