Патенти з міткою «otpиmaння»

Cпociб otpиmaння нectexiometpичнoгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7<те>

Завантаження...

Номер патенту: 51832

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: нectexiometpичнoгo, otpиmaння, tepmoeлektpичнoгo, n-pbbi4те7<те&gt, cпociб, matepiaлу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Cпociб otpиmaння нoboгo tepmoeлektpичнoгo matepiaлу n-pbbi4те7

Завантаження...

Номер патенту: 49970

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталя Іванівна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: matepiaлу, n-pbbi4те7, otpиmaння, cпociб, нoboгo, tepmoeлektpичнoгo

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Cпociб otpиmaння mikpokpиctaлib tbepдoгo poзчину inas1-хsbх

Завантаження...

Номер патенту: 48820

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: inas1-хsbх, tbepдoгo, otpиmaння, mikpokpиctaлib, poзчину, cпociб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...