Шуригін Федір Михайлович

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: легованих, магнітного, спосіб, сенсорів, стійких, поля, мікрокристалів, індію, радіаційної, отримання, антимоніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Штабалюк Агата Петрівна, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: плівок, антимоніду, спосіб, поля, основі, тонких, виготовлення, сенсорів, магнітного, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Штабалюк Агата Петрівна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00

Мітки: антимоніду, підвищення, стабільності, індію, параметрів, спосіб, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Номер патенту: 62990

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Стецко Роман Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: inхga1-хas, розчину, мікрокристалів, спосіб, отримання, твердого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, легованих, спосіб, мікрокристалів, індію, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Номер патенту: 60472

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Макідо Олена Юріївна, Швець Олександр Вікторович, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: германію, нановіскерів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким кварцову ампулу, яку попередньо завантажують германієм у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4-1,1·10-3 Па та розташовують у печі опору з градієнтом температур з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури 400-450 °С, а зони кристалізації до температури 350-400 °С, ампулу у такому градієнті температур витримують протягом 10-11 хвилин...

Номер патенту: 54765

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, спосіб, отримання, галію, нановіскерів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, на яку попередньо наносять мікрочастинки золота, джерела арсену та галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 29/40, C30B 29/10, C30B 25/00 ...

Мітки: антимоніду, одержання, мікрокристалів, індію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: мікрокристалів, індію, спосіб, отримання, арсеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Номер патенту: 48820

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: mikpokpиctaлib, inas1-хsbх, tbepдoгo, otpиmaння, cпociб, poзчину

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...

Номер патенту: 45468

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Макідо Олена Юріївна, Фендик Андрій Васильович, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: германію, отримання, спосіб, нановіскерів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують джерело германію разом з транспортуючим реагентом та золотом як металом-каталізатором та нагрівають, який відрізняється тим, що як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, яку попередньо завантажують германієм та золотом у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4 Па - 1,1·10-3 Па та...