C30B 25/00 — Вирощування монокристалів шляхом хімічних реакцій реакційноздатних газів, наприклад хімічним осадженням з парової фази

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Сенко Ілля Михайлович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 31/00, C30B 25/00

Мітки: рідкісноземельними, znse<te&#62, кристалів, легування, елементами, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович, Локшин Михайло Маркович

МПК: C30B 35/00, C30B 25/00, C30B 23/00 ...

Мітки: методом, пристрій, сублімації, вирощування, вільного, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Номер патенту: 110346

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Молен Лоран

МПК: C30B 25/00, C03B 19/09, C30B 15/10 ...

Мітки: отвором, спосіб, тигель, кремнезему, виготовлення, склоподібного, багатокутним

Формула / Реферат:

1. Тигель з отвором в формі багатокутника з кремнезему, розплавленого електричною дугою, причому об'ємна маса тигля становить щонайменше 2,15 на глибині щонайменше 1,5 мм всередині тигля, при цьому тигель містить пористий шар кремнезему на зовнішній стороні товщиною від 1 до 20 мм.2. Тигель за п. 1, який відрізняється тим, що багатокутник має чотири сторони.3. Тигель за будь-яким з пп. 1-2, який відрізняється тим, що площа його...

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: стійких, сенсорів, магнітного, антимоніду, легованих, спосіб, мікрокристалів, радіаційної, поля, отримання, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Штабалюк Агата Петрівна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: тонких, основі, магнітного, сенсорів, поля, спосіб, плівок, антимоніду, виготовлення, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Номер патенту: 99570

Опубліковано: 27.08.2012

Автор: Корнмайер Торстен

МПК: C30B 25/00, C01B 33/035

Мітки: кремнієвих, кріпильний, конус, стержнів, осаджувальних

Формула / Реферат:

1. Кріпильний конус для кремнієвих осаджувальних стержнів в реакторах для осаджування полікремнію, виготовлений з графіту, який відрізняється тим, що кріпильний конус включає вісесиметричну основну частину корпусу (2), в центрі верхньої поверхні якої містить цільний кріпильний елемент (3), виконаний з можливістю кріплення кремнієвих осаджувальних стержнів (1), при цьому основна частина корпусу (2) має отвір у формі кришки горщика, виконаний...

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Писаревський Володимир Костянтинович, Коман Богдан Петрович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/02, C30B 25/00 ...

Мітки: концентрації, спосіб, кристалах, зниження, акцепторів, власнодефектних

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Штабалюк Агата Петрівна, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00

Мітки: параметрів, стабільності, спосіб, індію, підвищення, мікрокристалів, антимоніду

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Номер патенту: 62990

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Стецко Роман Михайлович, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: спосіб, розчину, мікрокристалів, твердого, отримання, inхga1-хas

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: арсеніду, індію, отримання, легованих, спосіб, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Номер патенту: 60472

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Швець Олександр Вікторович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: германію, спосіб, отримання, нановіскерів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким кварцову ампулу, яку попередньо завантажують германієм у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4-1,1·10-3 Па та розташовують у печі опору з градієнтом температур з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури 400-450 °С, а зони кристалізації до температури 350-400 °С, ампулу у такому градієнті температур витримують протягом 10-11 хвилин...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Скрипник Микола Володимирович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, C30B 25/00, C30B 31/00 ...

Мітки: отримання, спосіб, телуриду, шарів, електронною, провідністю, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Номер патенту: 54765

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: галію, нановіскерів, арсеніду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів арсеніду галію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, на яку попередньо наносять мікрочастинки золота, джерела арсену та галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, яка завантажена арсенідом галію у твердому стані з розташованою...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 29/10, C30B 25/00, C30B 29/40 ...

Мітки: індію, спосіб, мікрокристалів, антимоніду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, індію, спосіб, арсеніду, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Номер патенту: 48820

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: tbepдoгo, inas1-хsbх, mikpokpиctaлib, cпociб, otpиmaння, poзчину

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, стибію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують хлористий водень, а як камеру осадження використовують запаяну кварцову ампулу, в яку завантажують підкладку, з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною...

Номер патенту: 90239

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Ніжанковський Сергій Вікторович, Ром Михайло Аронович, Калтаєв Халіл Шамсаддин-огли, Сидельникова Наталя Степанівна, Данько Олександр Яковлевич

МПК: C30B 29/38, C01F 7/00, C30B 25/00, C01B 21/072 ...

Мітки: плівки, алюмінію, нітриду, спосіб, одержання, кристалічної

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічної плівки нітриду алюмінію шляхом нітридизації сапфіра, що включає відпал в присутності вуглецю сапфірової підкладки орієнтацією (11-20) в середовищі, що містить азот і СО, загальним тиском 1 атм в графітовій печі, який відрізняється тим, що відпал проводять у вказаній атмосфері зі вмістом СО 0,001-0,1 об. % при температурі 1300-1450 °С протягом 2-10 годин.

Номер патенту: 45468

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Фендик Андрій Васильович, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович

МПК: C30B 25/00

Мітки: германію, отримання, спосіб, нановіскерів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нановіскерів германію, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують джерело германію разом з транспортуючим реагентом та золотом як металом-каталізатором та нагрівають, який відрізняється тим, що як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, яку попередньо завантажують германієм та золотом у твердому стані та бромом у рідкому стані, вакуумують до тиску в ампулі 9·10-4 Па - 1,1·10-3 Па та...

Номер патенту: 81534

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Силенко Петро Митрофанович, Шлапак Анатолій Миколайович, Рагуля Андрій Володимирович

МПК: C30B 25/00, C01B 31/36, C30B 29/36 ...

Мітки: карбіду, нановолокон, кремнію, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення нановолокон карбіду кремнію, який включає газофазне хімічне осадження карбіду кремнію з метилтрихлорсилану на розігріту підкладку з застосуванням каталізатора, який відрізняється тим, що як підкладку та каталізатор використовують стальну пластину, а синтез здійснюють в температурному діапазоні 1150-1250 °С протягом 2-20 хв.

Номер патенту: 18649

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Шевчук Юрій Васильович, Іщенко Ельвіна Дмитрівна, Шевчук Олеся Сергіївна, Конопальцева Людмила Іванівна, Непорожній Вадим Вадимович

МПК: C30B 25/00, C30B 29/50

Мітки: вирощування, плоских, хвилеводів, сполук, основі, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания плоских волноводов на основе соединений A2B6 методом паровой эпитаксии, содержащее горизонтальную трубчатую кварцевую камеру, снабженную штуцерами для подачи и отвода инертного газа, внутри которой соосно расположены трубы, закрепленные на противоположных торцах камеры и имеющие раструбы в ее средней части, испарители исходных компонентов, размещенные внутри труб, и наружные нагреватели, образующие три зоны нагрева,...