Патенти з міткою «халькогінідних»

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: халькогінідних, одержання, монокристалів, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...