Патенти з міткою «ktaxnb1-xo3»

Номер патенту: 85311

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/20, H01L 21/40

Мітки: плівок, спосіб, складу, ktaxnb1-xo3, сегнетоелектричних, тонких, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...