H01L 21/40 — сплавлення домішкових матеріалів, наприклад легуючих матеріалів, матеріалів електродів, з напівпровідникової підкладкою
Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу ktaxnb1-xo3
Номер патенту: 85311
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна
МПК: H01L 21/20, H01L 21/40
Мітки: плівок, спосіб, ktaxnb1-xo3, сегнетоелектричних, складу, тонких, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...