Патенти з міткою «метал-gap»

Номер патенту: 113671

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Герман Іванна Іванівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, метал-gap, виготовлення, фотодіодa, контакту, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.