Склярчук Валерій Михайлович

Номер патенту: 122626

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, метал-напівпровідник, потенціального, бар'єра, висоті, контакту, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення висоти потенціального бар'єра  контакту метал-напівпровідник (КМН), що включає вимірювання при сталій температурі безструктурного спектра при енергіях фотонів , менших за ширину забороненої зони  напівпровідника, його...

Номер патенту: 113671

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Герман Іванна Іванівна, Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 31/00

Мітки: контакту, основі, фотодіодa, спосіб, метал-gap, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: детектора, спосіб, випромінювання, виготовлення, іонізуючого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: поруватих, отримання, арсеніду, галію, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: ширини, зони, забороненої, визначення, матеріалів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Ульяницький Констянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/06

Мітки: отримання, спосіб, cd1-xmnxte, напівізолюючих, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/04, C30B 11/12 ...

Мітки: матеріалах, напівізолюючих, випромінювання, іонізуючого, спосіб, cd1-xznxte, виготовлення, детектора, cd1-xmnxte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: спосіб, заряду, матеріалах, параметрів, розчинів, визначення, напівізолюючих, твердих, основі, переносу

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...