Патенти з міткою «n-cdte»
Спосіб отримання легованих монокристалів n-cdte
Номер патенту: 46918
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: спосіб, n-cdte, легованих, монокристалів, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих монокристалів n-CdTe, за яким монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки СdІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал здійснюють у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах РСd=(103-105) Па, час...
Спосіб виготовлення контакту метал – n-cdte
Номер патенту: 31891
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 31/18
Мітки: метал, спосіб, контакту, n-cdte, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення контакту метал - n-CdTe, при якому проводять механічне та хімічне полірування підкладинок, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами кип'ятять у водній суспензії одного з карбонатів лужних металів (Li2CO3, К2СО3, Nа2СО3) не менше 10 хв.