Спосіб отримання легованих монокристалів n-cdte
Номер патенту: 46918
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Прокопів Володимир Васильович
Формула / Реферат
Спосіб отримання легованих монокристалів n-CdTe, за яким монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки СdІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал здійснюють у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах РСd=(103-105) Па, час відпалу становить 24 год.
Текст
Спосіб отримання легованих монокристалів nCdTe, за яким монокристали телуриду кадмію ви 3 3 5 46918 РСd=( 10 -10 ) Па, час відпалу становить 24 год. Приклад конкретного виконання. Монокристали кадмій телуриду n-типу провідності вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdI2. Одержані монокристали CdTe:I піддають двотемпературному відпалу у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) Комп’ютерна верстка І.Скворцова 4 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 3 5 PCd =(10 -10 ) Па, час відпалу становить 24 год. Одержані монокристали n-CdTe:I володіють високими значеннями концентрації носіїв та їх рухливостей і можуть використовуватись у приладобудуванні, оптоелектроніці для створення бар'єрних структур та р-n-переходів. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for obtaining of n-cdte alloyed monocrystals
Автори англійськоюHorichok Ihor Volodymyrovych, Prokopiv Volodymyr Vasyliovych, Freik Dmytro Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ получения легированных монокристаллов n-cdte
Автори російськоюГоричок Игорь Владимирович, Прокопив Владимир Васильевич, Фреик Дмитрий Михайлович
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/00
Мітки: отримання, n-cdte, спосіб, монокристалів, легованих
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-46918-sposib-otrimannya-legovanikh-monokristaliv-n-cdte.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання легованих монокристалів n-cdte</a>
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n- cdte
Номер патенту: 65338
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 33/00, C30B 31/00
Мітки: спосіб, хлором, легованих, монокристалів, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...
Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності
Номер патенту: 46915
Опубліковано: 11.01.2010
Автор: Горічок Ігор Володимирович
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованих, монокристалів, спосіб, провідності, cdte:i, отримання, n-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку вибирають CdI2 при концентрації йоду .
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності
Номер патенту: 65337
Опубліковано: 15.03.2004
Автор: Писклинець Уляна Михайлівна
МПК: C30B 33/00, C30B 31/00
Мітки: n-типу, отримання, монокристалів, cdte:cl, провідності, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності
Номер патенту: 65336
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна
МПК: C30B 33/02, C30B 31/00
Мітки: cdte:cl, монокристалів, провідності, спосіб, отримання, p-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...
Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:v n- i p-типу
Номер патенту: 24510
Опубліковано: 10.07.2007
Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: p-типу, спосіб, легованих, монокристалів, cdte:v, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...
Попередній патент: Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу р-pbsb2те4<те>
Наступний патент: Очисна система вороху коренеплодів
Випадковий патент: Спосіб одержання бактерицидного засобу