Горічок Ігор Володимирович

Номер патенту: 102227

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00, C01B 19/00, C01G 21/00 ...

Мітки: нанокомпозиту, спосіб, pbte:zno, незначною, отримання, теплопровідністю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Номер патенту: 87031

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, отримання, конденсату, ситалових, n-рbте:ві, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...

Номер патенту: 80800

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C01G 21/00, C01B 19/00, H01L 21/324 ...

Мітки: стабільного, отримання, термоелектричного, спосіб, n-pbte:sb

Формула / Реферат:

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), телур (Те) та сурму високого класу чистоти (99,999%), взяті у відповідних вагових співвідношеннях, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 80799

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C22C 43/00

Мітки: термоелектричного, отримання, спосіб, легованого, плюмбум, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 80521

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01F 41/00

Мітки: пристрій, тонких, отримання, плівок

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання тонких плівок, що містить мікропечі, підкладки, випарник із наважкою, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що для отримання конденсату використовують систему поворотних мікропечей з підкладками на радіальних кронштейнах і заслінку із асиметричним нецентральним отвором, розміщеним над випарником.

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Криницький Олександр Степанович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: спосіб, ефективного, матеріалу, n-pbte:sb, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Люба тетяна Сергіївна, Криськов Цезарій Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Рачковський Олег Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: температури, пристрій, кристалів, розплаву, кристалізації, градієнтом, області, змінним, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Номер патенту: 77224

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: H01L 21/00

Мітки: двошарових, структур, отримання, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин.

Номер патенту: 72229

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Никируй Любомир Іванович, Терлецький Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Володимирович

МПК: G01N 25/18, G01N 27/18

Мітки: вимірювання, електричної, комірки, спосіб, стабілізації, потужності, термоелектричних, параметрів, нагрівника

Формула / Реферат:

1. Спосіб стабілізації електричної потужності нагрівника комірки для вимірювання термоелектричних параметрів твердих тіл, у якому використовується комірка, що містить два нагрівники, зовнішній і внутрішній, хромелеві та алюмелеві термопари як вимірювальні провідники, який відрізняється тим, що для живлення внутрішнього нагрівника використовується генератор стабільного струму.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що калібрований...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, n-pbte:bi, властивостями, отримання, термоелектричними, напівпровідникових, ситалових, підкладках, покращеними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, термоелектричними, n-рbте:ві, напівпровідникових, спосіб, властивостями, основі, покращеними, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Номер патенту: 65674

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, n-pbte:bi, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 57333

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Дзумедзей Роман Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Володимирович

МПК: H01L 21/02

Мітки: термоелектричного, розчину, твердого, p-pbsnte, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного твердого розчину p-PbSnTe, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 57049

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: C22C 37/00

Мітки: легованого, термоелектричного, нікелем, отримання, n-pbte:ni, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого нікелем термоелектричного n-PbTe: Ni, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 54641

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Борик Віктор Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: p-pbte, надлишком, синтезу, термоелектричного, отримання, спосіб, телуру

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу і отримання термоелектричного р-РbТе із надлишком телуру, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ -...

Номер патенту: 52340

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Горічок Ігор Володимирович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, стехіометричного, наважки, термоелектричного, складу, n-рbте, синтезу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу і отримання термоелектричного n-РbТе із наважки стехіометричного складу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і...

Номер патенту: 51832

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tepmoeлektpичнoгo, matepiaлу, n-pbbi4те7<те&gt, otpиmaння, нectexiometpичнoгo, cпociб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу n-РbВi4Те7<Те>, який полягає в тому, що вихідні компоненти свинець (Рb), вісмут (Ві), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці РbВі4Te7, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 51831

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: H01L 37/00, H01L 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: отримання, термоелектричного, спосіб, телуриду, свинцю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю, який полягає в тому, що вихідні високочисті свинець, телур, взяті у певних масових співвідношеннях речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, яку нагрівають до температури, вищої від температури плавлення сполуки РbТе, і витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують в режимі виключеної печі, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 49970

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталя Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tepmoeлektpичнoгo, matepiaлу, нoboгo, n-pbbi4те7, cпociб, otpиmaння

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу n-РbВі4Те7, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 46918

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: n-cdte, отримання, монокристалів, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів n-CdTe, за яким монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки СdІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал здійснюють у парі кадмію при температурі Тв=(1050-1080) К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах РСd=(103-105) Па, час...

Номер патенту: 46917

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, нестехіометричного, спосіб, матеріалу, р-pbsb2те4<те&gt, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нестехіометричного термоелектричного матеріалу p-PbSb2Te4<Te>, який полягає в тому, що вихідну речовину свинець (Рb), сурму (Sb), телур (Те), які у масовому співвідношенні відповідають сполуці PbSb2Te4, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 46916

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Дикун Наталя Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріалу, отримання, спосіб, нового, р-pbsb2те4, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нового термоелектричного матеріалу р-PbSb2Te4, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, легованих, cdte:i, n-типу, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .